[发明专利]外延片及其制备方法

说明书

本申请涉及一种外延片及其制备方法，包括：提供基底，所述基底包括第一表面及第二表面；于所述基底的第二表面形成阻挡层；于所述阻挡层远离所述基底的一侧形成隔离层；于所述基底的第一表面形成外延层。在本申请中，隔离层形成于阻挡层远离基底的一侧，其对阻挡层起到阻挡的作用，将阻挡层与外延层形成时的工艺气体隔离，阻挡层不会与工艺气体反应而形成杂质。此时，腔室不会被杂质污染，进而降低了PM频率，减小了基座的损耗，提升了设备产能。同时，可以有效降低形成的外延片表面的杂质颗粒数量，从而有效提高产品质量。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种外延片及其制备方法。

背景技术

外延生长工艺是半导体芯片制造过程中的一个重要工艺，其可以包括真空外延沉积、气相外延沉积以及液相外延沉积等生长方式。其中，气相外延沉积工艺应用广泛。

然而，在气相外延沉积工艺过程中，存在工艺腔室容易被杂质污染的问题，进而增加了PM频率以及基座的损耗，减小了设备产能。

发明内容

基于此，有必要针对传统技术中外延片的工艺腔室容易被杂质污染的问题提供一种外延片及其制备方法。

为了实现上述目的，一方面，本申请提供了一种外延片的制备方法，包括：

提供基底，所述基底包括第一表面及第二表面；

于所述基底的第二表面形成阻挡层；

于所述阻挡层远离所述基底的一侧形成隔离层；

于所述基底的第一表面形成外延层。

上述外延片的制备过程中的隔离层形成于阻挡层远离基底的一侧，其对阻挡层起到阻挡的作用，将阻挡层与外延层形成时的工艺气体隔离，阻挡层不会与工艺气体反应而形成杂质。此时，腔室不会被杂质污染，进而降低了PM频率，减小了基座的损耗，提升了设备产能。同时，可以有效降低形成的外延片表面的杂质颗粒数量，从而有效提高产品质量。

在其中一个实施例中，于所述基底的第二表面形成阻挡层，包括：

于所述基底的第二表面以及侧面形成阻挡层。

在其中一个实施例中，于所述基底的第二表面以及侧面形成阻挡层，包括：

于所述基底的第一表面、第二表面以及侧面形成阻挡材料层；

去除位于所述基底的第一表面的所述阻挡材料层，以形成所述阻挡层。

在其中一个实施例中，于所述基底的第一表面、第二表面以及侧面形成阻挡材料层之后，包括：

于所述阻挡材料层上形成隔离材料层；

去除位于所述阻挡材料层的远离所述第一表面一侧的隔离材料层，以形成隔离层。

在其中一个实施例中，于所述基底的第二表面形成阻挡层之后，包括：

于所述阻挡层远离所述基底的表面及基底的第一表面形成隔离材料层；

去除位于所述基底第一表面的隔离材料层，以形成隔离层。

在其中一个实施例中，于所述阻挡层远离所述基底的一侧形成隔离层之后，包括：

对形成有阻挡层、隔离层的所述基底进行第一次清洗。

在其中一个实施例中，于所述基底的第一表面上形成外延层之后，包括：

对形成有阻挡层、隔离层及外延层的所述基底进行第二次清洗。

本申请还提供了一种外延片，包括：

基底，所述基底包括第一表面及第二表面；