[发明专利]外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202211310568.4 | 申请日： | 2022-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN115458393A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 仇玲珑;吴正泉;曹荣;陆爱军 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭凤杰 |
| 地址： | 200135 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种外延片的制备方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括第一表面及第二表面；
于所述基底的第二表面形成阻挡层；
于所述阻挡层远离所述基底的一侧形成隔离层；
于所述基底的第一表面形成外延层。
2.根据权利要求1所述的外延片的制备方法，其特征在于，于所述基底的第二表面形成阻挡层，包括：
于所述基底的第二表面以及侧面形成阻挡层。
3.根据权利要求2所述的外延片的制备方法，其特征在于，于所述基底的第二表面以及侧面形成阻挡层，包括：
于所述基底的第一表面、第二表面以及侧面形成阻挡材料层；
去除位于所述基底的第一表面的所述阻挡材料层，以形成所述阻挡层。
4.根据权利要求3所述的外延片的制备方法，其特征在于，于所述基底的第一表面、第二表面以及侧面形成阻挡材料层之后，包括：
于所述阻挡材料层表面形成隔离材料层；
去除位于所述阻挡材料层的远离所述第一表面一侧的隔离材料层，以形成隔离层。
5.根据权利要求2所述的外延片的制备方法，其特征在于，于所述基底的第二表面以及侧面形成阻挡层之后，包括：
于所述阻挡层远离所述基底的表面及基底的第一表面形成隔离材料层；
去除位于所述基底第一表面的隔离材料层，以形成隔离层。
6.根据权利要求1所述的外延片的制备方法，其特征在于，于所述阻挡层远离所述基底的一侧形成隔离层之后，包括：
对形成有阻挡层、隔离层的所述基底进行第一次清洗。
7.根据权利要求1所述的外延片的制备方法，其特征在于，于所述基底的第一表面上形成外延层之后，包括：
对形成有阻挡层、隔离层及外延层的所述基底进行第二次清洗。
8.一种外延片，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括第一表面及第二表面；
阻挡层，位于所述基底第二表面；
隔离层，位于所述阻挡层远离所述基底的一侧；
外延层，位于所述基底的第一表面。
9.根据权利要求8所述的外延片，其特征在于，所述阻挡层还位于所述基底的侧面，所述隔离层位于阻挡层远离所述基底的表面。
10.根据权利要求8所述的外延片，其特征在于，所述基底的材料为硅，所述隔离层的材料包括多晶硅、氧化物。
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