[发明专利]一种新型限位式硅片承载装置在审

专利信息
申请号: 202211298703.8 申请日: 2022-10-24
公开(公告)号: CN115831832A 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 高晗;杨宗明;吴明贵;刘小明;张清清;龚汉亮 申请(专利权)人: 南通玖方新材料科技有限公司
主分类号: H01L21/673 分类号: H01L21/673;H01L31/18
代理公司: 佛山市君创知识产权代理事务所(普通合伙) 44675 代理人: 冼柏恩
地址: 226300 江苏省南通市高*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 限位 硅片 承载 装置
【说明书】:

本发明涉及光伏发电领域,具体公开了一种新型限位式硅片承载装置,包括承载框和载板;所述承载框由横梁和竖梁构成;所述载板中沿其长度方向或/和宽度方向中的其中一侧通过锁紧机构锁紧在所述横梁或/和所述纵梁上,与其相对的一侧则通过柔性安装机构安装在所述横梁或/和所述纵梁上;所述柔性安装机构包括第一连接件和弹性元件;所述第一连接件的一端连接在载板上,该第一连接件的另一端设置有弹性元件;所述第一连接件伸入到所述横梁或/和所述纵梁中的安装腔体中,所述弹性元件的弹力促使所述第一连接件朝远离所述锁紧机构的方向拉紧所述载板。本发明的新型限位式硅片承载装置可以避免载板在膨胀变形中出现绷紧,保证载板的平面度符合要求。

技术领域

本发明涉及光伏发电领域,具体涉及一种新型限位式硅片承载装置。

背景技术

异质结电池需要经过清洗制绒、化学气相沉积、物理气相沉积、丝网印刷,其中的物理气相沉积简称PVD,其作用是在硅片表面沉积一层透明导电膜,形成良好的欧姆接触、减少载流子的复合效率、钝化表面。一般通过磁控溅射来实现镀膜,利用离子源产生的离子,在高真空中经过加速聚集,形成高速的离子束流,轰击靶材表面,离子和固体表面原子发生动能交换,使靶材表面的原子离开靶材并沉积在硅片表面而形成薄膜材料。硅片通过承载装置进入真空腔中进行镀膜。在镀膜过程中,高温处理会使承载装置发生膨胀变形,使得承载装置的平面度发生改变,从而会影响硅片镀膜效果。

为此,授权公告号为CN 215266219U的中国发明专利公开了“一种限位式硅片承载装置”,所述限位式硅片承载装置包括承载框及载板,所述载板上设有用于存放硅片的存放槽,所述载板设置在承载框上;所述载板通过可拆卸连接结构与承载框固定连接,所述载板上设有用于所述可拆卸连接结构通过的安装孔,所述安装孔在纵向或横向上与可拆卸连接结构之间形成伸缩间隙,载板在受热膨胀后通过所述伸缩间隙实现伸缩变形,实现对载板的单方向变形限位,以便控制载板受热膨胀前后的位置精度,从而提高硅片的位置精度,有利于提高硅片的加工精度。

然而上述的限位式硅片承载装置通过长圆形的安装孔给载板提供伸缩变形空隙,而所述可拆卸结构为连接螺钉,所述连接螺钉安装在所述安装孔上,用于对载板进行垂直于其平面的方向进行限位;当载板发生膨胀变形时,载板中可活动的一侧可以发生移动(移动方向与安装孔的延伸方向一致)以适应膨胀变形,从而保证载板的平面度;但是上述方案仍然存在以下问题:载板在受热膨胀变形的过程中,载板的膨胀力首先要克服连接螺钉的竖向压紧力带来的水平方向阻力才能进行膨胀伸展,亦即载板在水平方向的膨胀不是完全自由的,从而在膨胀过程中容易出现局部绷紧的现象,使得载板中的部分位置发生拱起变形,从而影响到载板的平面度,进而影响到硅片的加工质量。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种新型限位式硅片承载装置,所述新型限位式硅片承载装置的载板在受热膨胀过程中可以自由伸展,避免出现绷紧而局部变形,保证载板在加工过程中具有高精度的平面度。

本发明解决上述技术问题的技术方案是:

一种新型限位式硅片承载装置,包括承载框以及设置在所述承载框上的载板,其中,所述承载框为由横梁和竖梁构成的框架结构;所述载板中沿其长度方向或/和宽度方向中的其中一侧通过锁紧机构锁紧在所述横梁或/和所述纵梁上,与其相对的一侧则通过柔性安装机构安装在所述横梁或/和所述纵梁上;其中,所述锁紧机构和所述柔性安装机构均为多组,且两者一一对应;所述柔性安装机构包括第一连接件以及弹性元件,其中,所述第一连接件的一端连接在载板上,该第一连接件的另一端设置有所述弹性元件;所述横梁或/和所述纵梁在与所述柔性安装机构对应处设有安装腔体,所述第一连接件伸入到安装腔体中,所述弹性元件的一端作用在所述安装腔体的内壁上,另一端则作用在所述第一连接件上,所述弹性元件的弹力促使所述第一连接件朝远离所述锁紧机构的方向拉紧所述载板。

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