[发明专利]提高条波导非线性系数的方法、条波导及光器件在审
| 申请号： | 202211297358.6 | 申请日： | 2022-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN115657206A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 雷蕾;叶文涛;何苏 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13;G02B6/12;G02F1/365 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 葛泽龙 |
| 地址： | 518060 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 波导 非线性 系数 方法 器件 | ||
1.一种提高条波导非线性系数的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
准备条波导，所述条波导包括依次层叠设置的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层；
在所述二氧化硅层表面且背离所述硅基层的一侧制备非线性增强层，以使所述条波导在TM模式下的非线性系数随所述非线性增强层的厚度的增加而呈总体上升趋势。
2.根据权利要求1所述的提高条波导非线性系数的方法，其特征在于：所述非线性增强层通过喷涂工艺或者旋涂工艺设置于所述单晶硅层上。
3.根据权利要求1所述的提高条波导非线性系数的方法，其特征在于：所述非线性增强层为不完全覆盖于所述二氧化硅层表面的非连续层状结构，或为完全覆盖于所述二氧化硅层表面的连续层状结构。
4.根据权利要求1所述的提高条波导非线性系数的方法，其特征在于：所述非线性增强层覆盖于所述二氧化硅层的上表面，并包裹所述单晶硅层。
5.根据权利要求1所述的提高条波导非线性系数的方法，其特征在于：所述非线性增强层的厚度为200nm～1μm。
6.根据权利要求1所述的提高条波导非线性系数的方法，其特征在于：所述条波导的非线性系数为1500W-1m-1～2000W-1m-1。
7.一种条波导，所述条波导包括依次层叠设置的硅基层、二氧化硅层单晶硅层，其特征在于：所述条波导还包括设于所述二氧化硅层表面且背离所述硅基层的一侧的非线性增强层，所述条波导在TM模式下的非线性系数随所述非线性增强层的厚度的增加而呈总体上升趋势。
8.根据权利要求7所述的条波导，其特征在于：所述单晶硅层的厚度为200nm～260nm。
9.根据权利要求7所述的条波导，其特征在于：所述单晶硅层的宽度为200nm～300nm。
10.一种光器件，其特征在于，所述光器件包括如权利要求7-9任一项所述的条波导。
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