[发明专利]钕铁硼磁体的制备方法在审
申请号: | 202211297160.8 | 申请日: | 2022-10-21 |
公开(公告)号: | CN115691924A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 张继;甄旭 | 申请(专利权)人: | 京磁材料科技股份有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F41/02;B22F1/10;B22F3/04;B22F9/02;B22F9/04 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人: | 卢富华 |
地址: | 101399 北京市顺义区林河南*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钕铁硼 磁体 制备 方法 | ||
1.钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、将钕、硼、铜、镝、铁混合并真空熔炼得到钕铁硼磁体合金;
步骤二、将钕铁硼合金经过氢碎制得钕铁硼粗粉,按占所述钕铁硼粗粉质量0.05~0.1%的比例加入添加剂,并混合均匀得到混合粉,将混合粉经气流磨工序制得钕铁硼细粉,其中,所述添加剂为单硬脂酸甘油酯、硼酸三丁酯、油酸按质量百分比40~50%:20~30%:20~40%混合的组合物;
步骤三、将步骤二中的钕铁硼细粉压制制备出生坯,对生胚进行封装,将封装后的生坯等静压压制,得到等压生坯;
步骤四、将步骤三中的等压生坯真空烧结得到钕铁硼磁体。
2.如权利要求1所述的钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,步骤一中的钕、硼、铜、镝、铁按质量百分比30~35%:3~5%:0.5~1.5%:1~2%:56.5~65.5%混合。
3.如权利要求1所述的钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,步骤四中的真空烧结经过4个阶段,分别为:
S1、升温至200~300℃下保温2~4h;
S2、升温至400~500℃下保温2~4h;
S3、升温至700~800℃下保温2~4h;
S4、升温至1000~1100℃下保温2~4h后,自然冷却至800℃,再风冷至室温。
4.如权利要求1所述的钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,步骤三中的压制的设备为半自动压制机。
5.如权利要求1所述的钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,步骤三中的等静压压制的压力为180~220Mpa。
6.如权利要求1所述的钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,对步骤四中的钕铁硼磁体进行充磁的磁场强度大于2T。
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