[发明专利]离型膜和使用该离型膜制造半导体封装件的方法在审

专利信息
申请号: 202211261630.5 申请日: 2022-10-14
公开(公告)号: CN116061418A 公开(公告)日: 2023-05-05
发明(设计)人: 刘韩率;金沅槿 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: B29C51/12 分类号: B29C51/12;B29C51/30;H01L21/56
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜;王占杰
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 离型膜 使用 制造 半导体 封装 方法
【说明书】:

一种离型膜可以包括导电聚合物基板层和设置在所述导电聚合物基板层的顶表面和底表面上的离型层。每个所述离型层可以包括氟基聚合物,并且所述导电聚合物基板层的密度在0.1g/cmsupgt;3/supgt;至0.5g/cmsupgt;3/supgt;的范围内。

相关申请的交叉引用

专利申请要求于2021年11月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0149730的优先权,通过引用将其全部内容并入本文。

技术领域

本公开涉及离型膜和/或使用该离型膜制造半导体封装件的方法。

背景技术

执行作为半导体器件封装工艺的一部分的模制工艺,以用模制材料包封基板和安装在基板上的半导体器件。可以使用模具和模制材料来密封地包封半导体器件。由环氧树脂和添加在其中的各种无机和辅助材料组成的环氧模制化合物(EMC)主要用作模制材料。在成型工艺期间,模制材料被注入到模具中。在封装工艺中,在使模制材料硬化之后,使用介于模具与模制材料之间的离型膜使成型产品脱离模具。

发明内容

本发明构思的示例实施例提供了抑制可能在使模制材料脱离离型膜时发生的静电问题的方式。

根据本发明构思的实施例,离型膜可以包括:导电聚合物基板层;以及离型层,所述离型层位于所述导电聚合物基板层的顶表面和底表面上。每个所述离型层可以包括氟基聚合物,并且所述导电聚合物基板层的密度在0.1g/cm3至0.5g/cm3的范围内。

根据本发明构思的实施例,离型膜可以包括:导电聚合物基板层;以及离型层,所述离型层位于所述导电聚合物基板层的顶表面和底表面上。每个所述离型层可以包括氟基聚合物,所述导电聚合物基板层的厚度可以为40μm至80μm,并且每个所述离型层的厚度可以为0.5μm至5μm。

根据本发明构思的实施例,一种制造半导体封装件的方法可以包括:设置离型膜以覆盖模具的腔;在所述离型膜上设置模制构件;将基板定位成使得安装在所述基板的第一表面上的半导体器件位于所述腔上方;使所述模具朝向所述基板的所述第一表面移动,使得所述模制构件覆盖所述基板的所述第一表面的至少一部分;使所述模制构件硬化以形成模制结构;以及使所述模制结构脱离所述离型膜。所述离型膜可以包括导电聚合物基板层以及位于所述导电聚合物基板层的顶表面和底表面上的离型层。每个所述离型层可以包括氟基聚合物。

附图说明

图1是示意性地示出根据一些示例实施例的离型膜的截面图。

图2是示出图1的“aa”部分的放大截面图。

图3是示出通过拉伸图1的离型膜获得的结构的截面图。

图4是示出图3的“bb”部分的放大截面图。

图5、图6、图7、图9和图10是示出使用离型膜制造半导体封装件的工艺的截面图。

图8是示出图7的“cc”部分的放大截面图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述本发明构思的示例实施例,在附图中示出了示例实施例。然而,示例实施例可以以各种不同的形式实现,并且不应当被解释为仅限于所示出的实施例。更确切地,所示实施例作为示例提供,使得本公开将是彻底的且完整的,且将向本领域技术人员充分地传达本公开的构思。除非另有说明,否则在所有附图和书面描述中,相同的附图标记表示相同的元件,因此将不再重复描述。

为了便于描述,可以在本文中使用诸如“顶”、“底”等的空间相对术语来描述图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。应当理解,空间相对术语旨在涵盖除了在图中描绘的取向之外的器件在使用或工作中的不同取向。例如,器件可以以其他方式取向(旋转90度或呈其他取向),并且相应地解释本文使用的空间相对描述语。

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