[发明专利]离型膜和使用该离型膜制造半导体封装件的方法

权利要求书

1.一种离型膜，所述离型膜包括：

导电聚合物基板层；以及

离型层，所述离型层位于所述导电聚合物基板层的顶表面和底表面上，

其中，每个所述离型层包括氟基聚合物，并且

所述导电聚合物基板层的密度在0.1g/cm³至0.5g/cm³的范围内。

2.根据权利要求1所述的离型膜，其中，

所述导电聚合物基板层的厚度为30μm至200μm，并且

每个所述离型层的厚度为0.1μm至20μm。

3.根据权利要求2所述的离型膜，其中，

所述导电聚合物基板层的厚度为40μm至80μm，并且

每个所述离型层的厚度为0.5μm至5μm。

4.根据权利要求1所述的离型膜，其中，所述离型膜的薄层电阻大于或等于10⁸Ω/sq且小于10¹⁰Ω/sq。

5.根据权利要求1所述的离型膜，其中，所述导电聚合物基板层具有纺织织物结构或无纺织物结构中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的离型膜，其中，所述导电聚合物基板层与所述离型层之间的重量比为至多99∶1且至少90∶10。

7.根据权利要求1所述的离型膜，其中，所述导电聚合物基板层包括：

多孔纤维；以及

导电聚合物材料，所述导电聚合物材料涂覆在所述多孔纤维上。

8.根据权利要求7所述的离型膜，其中，所述多孔纤维包括聚萘二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、尼龙或聚酯中的至少一种。

9.根据权利要求7所述的离型膜，其中，所述导电聚合物材料包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐、聚吡咯、聚噻吩或聚苯胺中的至少一种。

10.根据权利要求7所述的离型膜，其中，每个所述离型层包括含氟聚合物或全氟聚合物中的至少一种。

11.根据权利要求1所述的离型膜，其中，所述导电聚合物基板层包括多孔导电纤维。

12.一种离型膜，所述离型膜包括：

导电聚合物基板层；以及

离型层，所述离型层位于所述导电聚合物基板层的顶表面和底表面上，

其中，每个所述离型层包括氟基聚合物，

所述导电聚合物基板层的厚度为40μm至80μm，并且

每个所述离型层的厚度为0.5μm至5μm。

13.根据权利要求12所述的离型膜，其中，

所述导电聚合物基板层具有第一伸长率，并且

每个所述离型层具有大于所述第一伸长率的第二伸长率。

14.根据权利要求12所述的离型膜，其中，所述导电聚合物基板层的密度小于每个所述离型层的密度。

15.根据权利要求12所述的离型膜，其中，

所述导电聚合物基板层包括多孔纤维和涂覆在所述多孔纤维上的导电聚合物材料，

所述多孔纤维包括聚萘二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、尼龙或聚酯中的至少一种，

所述导电聚合物材料包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐、聚吡咯、聚噻吩或聚苯胺中的至少一种，并且

每个所述离型层包括乙烯四氟乙烯、聚四氟乙烯或全氟辛酸中的至少一种。