[发明专利]手性d-f跃迁稀土配合物及其作为电致发光材料的应用

权利要求书

1.一种电致发光材料，其特征在于，所述电致发光材料包括配合物(R/S)-RN₈-EuI₂，其具有如下所示的结构：

其中，X为负一价离子，如F、Cl、Br、I、OCN、SCN、CN、CF₃SO₃、BF₄或PF₆，R各自独立地选自H、C₁-C₁₈的烷基、卤素取代的烷基、卤素原子、芳基、卤素取代芳基、烷基取代芳基、O、N、S杂芳基、含O、N、S配位点的烷基，M为Eu(II)，Ce(III)，Yb(II)，Sm(II)等具有d-f跃迁发光的金属离子，“*”处至少有一个手性位点；优选的，所有“*”处皆为手性位点；

或者，所述电致发光材料包括配合物EuX₂-N₄，其具有如下所示的结构：

其中，X为负一价离子，如F、Cl、Br、I、OCN、SCN、CN、CF₃SO₃、BF₄或PF₆，R各自独立地选自H、C₁-C₁₈的烷基、卤素取代的烷基、卤素原子、芳基、卤素取代芳基、烷基取代芳基、O、N、S杂芳基、含O、N、S配位点的烷基，M为Eu(II)，Ce(III)，Yb(II)，Sm(II)等具有d-f跃迁发光的金属离子，“*”处至少有一个手性位点；优选的，所有“*”处皆为手性位点；

或者，所述电致发光材料包括配合物EuX₂-cycloN₄，其具有如下所示的结构：其中，X为负一价离子，如F、Cl、Br、I、OCN、SCN、CN、CF₃SO₃、BF₄或PF₆，R各自独立地选自H、C₁-C₁₈的烷基、卤素取代的烷基、卤素原子、芳基、卤素取代芳基、烷基取代芳基、O、N、S杂芳基、含O、N、S配位点的烷基，M为Eu(II)，Ce(III)，Yb(II)，Sm(II)等具有d-f跃迁发光的金属离子，“*”处至少有一个手性位点；优选的，所有“*”处皆为手性位点；。

2.根据权利要求1所述的电致发光材料，其特征在于，所述发光材料包括(a)(R/S)-MeN₈-EuI₂，(b)(R/S)-i-PrN₈-EuI₂，(c)(R/S)-MeN₈-Ce(OTf)₃，(d)(R/S)-N₄Me₄-EuI₂，(e)(R/S)-N₄Me₆-EuI₂，(f)(R/S)-N₄Me₂Et₄-EuI₂，(g)(R/S)-MeN₄-EuI₂，(h)(R/S)-cyclohexN₄-EuI₂，上述配合物对应的结构式如下所示：

3.一种电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件包括阴极、阳极，以及位于所述阴极和所述阳极之间的发光层，其中所述发光层包括如权利要求1或2所述的电致发光材料。

4.根据权利要求3所述的电致发光器件，其特征在于，所述发光层是客体材料和主体材料的混合，其中，所述客体材料包括如权利要求1或2所述的电致发光材料，所述主体材料包括m-MTDATA，mCP，mCBP，CzSi，DCPPO，PCzAc，CBP，TCTA，TAPC，DPEPO，mCPCN，BCPO，掺杂浓度为1wt％-99wt％，优选7wt％-10wt％，最优选10wt％，所述掺杂浓度为客体材料的质量占所述客体材料与所述主体材料总质量的百分比。