[发明专利]一种半导体封装工艺及应用于该工艺的石墨舟结构

说明书

本申请涉及一种半导体封装工艺及应用于该工艺的石墨舟结构，涉及半导体封装的技术领域，其包括将下引线框架固定安装在第一石墨载体上；在下引线框架的焊接点位上放置焊片和芯片；将上引线框架叠放在下引线框架上；在叠合设置的焊接单元顶部盖设第二石墨载体；将焊接单元以及盖设在焊接单元顶部的第二石墨载体放置在焊接炉内进行加热焊接。焊片替换锡膏实现芯片在上引线框架和下引线框架之间的欧姆连接，锡膏相比较，焊片材料具有较低的成本，同时焊片自身不含助焊剂，有效避免芯片焊接完成后助焊剂的析出，提高芯片在上引线框架和下引线框架上焊接安装的稳定性，焊片不含助焊剂，改善焊接过程中焊点处产生空洞的问题。

技术领域

本申请涉及半导体封装的技术领域，尤其是涉及一种半导体封装工艺及应用于该工艺的石墨舟结构。

背景技术

在半导体器件（肖特基、稳压、标准高压、瞬变电压抑制二极管等）的生产过程中，芯片焊接是封装过程中的重点控制工序，此工艺的目的是将芯片通过融化的合金焊料（锡膏）粘结在引线框架上，使芯片的集电极与引线框架的散热片形成良好的欧姆接触和散热通路。

相关技术中的芯片焊接工序为，将上引线框架和下引线框架固定在粘胶机台面上，将锡膏点涂到上引线框架和下引线框架的焊接点位上；芯片通过分向筛盘进行分向正位后，再用吸笔将芯片转换到下框架的焊接点位上；然后将上框架和下框架上的焊接点位重合；再将上引线框架和下引线框架装填到焊接舟中，此时上引线框架和下引线框架在水平方向上交错叠置；将焊接舟放入焊接炉，焊接炉对上引线框架和下引线框架的锡膏进行加热，锡膏熔融后重新凝结，形成对上引线框架、下引线框架以及芯片三者的焊接，使整流芯、上引线框架、下引线框架三者形成欧姆接触。

由于相关技术中芯片与上引线框架和下引线框架的焊接主要采用锡膏焊接，锡膏自身的成本较高，且锡膏自身含有大量的助焊剂，焊接过程中容易产生空洞，锡膏焊接完成后会有大量的助焊剂残留，影响芯片在上引线框架和下引线框架上焊接的稳定性，因此，存在待改进之处。

发明内容

为了改善锡膏焊接芯片的缺陷，本申请提供了一种半导体封装工艺及应用于该工艺的石墨舟结构。

本申请提供的一种半导体封装工艺采用如下的技术方案：

一种半导体封装工艺，包括以下步骤：S1，将下引线框架限位安装在第一石墨载体上；S2，在下引线框架的焊接点位上放置芯片，所述芯片的数量至少设置为一个，任一所述芯片相对的两侧设置有焊片；S3，对齐上引线框架和下引线框架的焊接位点，此时所述焊片和所述芯片被夹持在所述下引线框架的焊接点位以及所述上引线框架的焊接点位之间，同时将上引线框架限位安装在第一石墨载体上，并将第二石墨载体盖设在第一石墨载体上；其中，所述第一石墨载体和第二石墨载体厚度方向的两侧至少设置有一个焊接单元区，所述下引线框架、上引线框架、焊片以及芯片位于焊接单元区内构成焊接单元，所述焊接单元的数量沿第一石墨载体和第二石墨载体的厚度方向至少设置有一个；S4，将第一石墨载体、焊接单元和第二石墨载体放置在焊接炉内进行加热焊接。

通过采用上述技术方案，通过在上引线框架和下引线框架之间依次交替设置焊片和芯片，焊片替换锡膏实现芯片在上引线框架和下引线框架之间的欧姆连接，锡膏相比较，焊片材料具有较低的成本，有效降低了芯片在上引线框架和下引线框架之间的焊接成本，同时焊片自身不含助焊剂，有效避免芯片焊接完成后助焊剂的析出，提高芯片在上引线框架和下引线框架上焊接安装的稳定性，焊片不含助焊剂，改善焊接过程中焊点处产生空洞的问题。

可选的，还包括S0，开设限位槽和设置限位桩，在上引线框架和下引线框架位于焊接位点的一侧均开设限位槽，在第一石墨载体位于上引线框架和下引线框架的焊接位点的周侧设置限位桩，且限位桩分别与上引线框架和下引线框架上的限位槽形成限位插接安装，且所述限位桩与对应的限位槽之间设置有热形变间隙。