[发明专利]一种半导体封装工艺及应用于该工艺的石墨舟结构

权利要求书

1.一种半导体封装工艺，其特征在于：基于一种石墨舟结构，所述石墨舟结构包括第一石墨载体（2）和第二石墨载体（7），所述第一石墨载体（2）包括承载板（12），且所述承载板（12）上设置有料槽（9）、限位槽（10）、限位桩（11）以及焊接单元区，所述限位桩（11）四个为一组设置在任一料槽（9）的四周；

任一所述料槽（9）的槽底开设有导热孔（13），所述导热孔（13）贯穿所述承载板（12）设置；

所述承载板（12）上贯穿开设有用于将其自身在焊接炉内进行定位的定位孔（14）；

所述承载板（12）的端面贯穿开设有多个散热孔（16）；

包括以下步骤，

S0，开设限位槽（10）和设置限位桩（11），在上引线框架（5）和下引线框架（1）位于焊接位点的一侧均开设限位槽（10），在第一石墨载体（2）位于上引线框架（5）和下引线框架（1）的焊接位点的周侧设置限位桩（11），且限位桩（11）分别与上引线框架（5）和下引线框架（1）上的限位槽（10）形成限位插接安装，且所述限位桩（11）与对应的限位槽（10）之间设置有热形变间隙；

S01，采用ANSYS热模拟软件对第一石墨载体（2）进行热变形模拟，并根据模拟数据计算出热形变间隙的尺寸大小，对限位桩（11）的尺寸做修整；

S1，将下引线框架（1）限位安装在第一石墨载体（2）上；

S2，在下引线框架（1）的焊接点位上放置芯片（4），所述芯片（4）的数量至少设置为一个，任一所述芯片（4）相对的两侧设置有焊片（3）；

S3，对齐上引线框架（5）和下引线框架（1）的焊接位点，此时所述焊片（3）和所述芯片（4）被夹持在所述下引线框架（1）的焊接点位以及所述上引线框架（5）的焊接点位之间，同时将上引线框架（5）限位安装在第一石墨载体（2）上，并将第二石墨载体（7）盖设在第一石墨载体（2）上；

其中，所述第一石墨载体（2）和第二石墨载体（7）厚度方向的两侧至少设置有一个焊接单元区，所述下引线框架（1）、上引线框架（5）、焊片（3）以及芯片（4）位于焊接单元区内构成焊接单元（6），所述焊接单元（6）的数量沿第一石墨载体（2）和第二石墨载体（7）的厚度方向至少设置有一个；

S4，将第一石墨载体（2）、焊接单元（6）和第二石墨载体（7）放置在焊接炉内进行加热焊接。

2.根据权利要求1所述的一种半导体封装工艺，其特征在于：

S0还包括设置变形槽（8）和料槽（9），采用ANSYS热模拟软件对第一石墨载体（2）进行热变形模拟，并根据模拟数据计算出变形槽（8）的开设位置、开设形状和开设尺寸，之后在第一石墨载体（2）上进行变形槽（8）和料槽（9）的开设。

3.根据权利要求1所述的一种半导体封装工艺，其特征在于：

S1中，将下引线框架（1）的限位槽（10）与第一石墨载体（2）的限位桩（11）形成插接配合；

S2中，依次在下引线框架（1）的焊接位点上放置一个焊片（3）、芯片（4）以及另一个焊片（3）；

S3中，将上引线框架（5）的焊接位点放置在最上侧的焊片（3）上，且使得上引线框架（5）的限位槽（10）与第一石墨载体（2）的限位桩（11）实现插接限位安装。

4.根据权利要求1所述的一种半导体封装工艺，其特征在于：所述承载板（12）上开设有便于将承载板（12）固定安装在焊接炉内的阶梯孔（15）。

5.根据权利要求1所述的一种半导体封装工艺，其特征在于：所述承载板（12）的端面上设置有叠合柱（17），所述承载板（12）背离所述叠合柱（17）的端面开设有叠合孔（18），所述叠合柱（17）插接安装在相邻承载板（12）的叠合孔（18）内。