[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在半导体基底上形成鳍状结构；沿所述半导体基底的厚度方向，鳍状结构包括依次设置的第一沟道形成部、牺牲隔离部和第二沟道形成部；所述牺牲隔离部和所述第二沟道形成部均包括至少一层叠层，每层所述叠层包括第一半导体层、以及位于所述第一半导体层上的第二半导体层；所述第一沟道形成部包括至少一层所述第二半导体层；所述第二半导体层和所述第一半导体层的材质不同；

沿所述鳍状结构的宽度方向，并在第一保护层的保护作用下，仅对所述第二沟道形成部包括的第一半导体层进行横向减薄处理，以在所述第二沟道形成部包括的第一半导体层的两侧形成凹口；

在所述凹口内形成第二保护层；所述第一保护层和所述第一半导体层的材质均与所述第二保护层的材质不同；

至少依次去除所述第一保护层、以及所述牺牲隔离部包括的第一半导体层，以使得所述第一沟道形成部包括的第二半导体层形成第一晶体管包括的第一沟道区；

在第三保护层的保护作用下，仅去除所述牺牲隔离部包括的第二半导体层和所述第二沟道形成部包括的第二半导体层，以使得所述第二沟道形成部包括的第一半导体层形成第二晶体管包括的第二沟道区；并去除所述第二保护层，以使得所述第二沟道区和所述第一沟道区隔离开；所述第一晶体管和所述第二晶体管的导电类型不同。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一晶体管为鳍式场效应晶体管；所述第一沟道形成部包括一层所述第二半导体层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一晶体管为环栅晶体管；所述第一沟道形成部包括至少一层所述叠层；

所述至少依次去除所述第一保护层、以及所述牺牲隔离部包括的第一半导体层包括：

去除所述第一保护层；

去除所述牺牲隔离部包括的第一半导体层和所述第一沟道形成部包括的第一半导体层。

4.根据权利要求1～3任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在半导体基底上形成鳍状结构包括：

在所述半导体基底上形成鳍条状结构；沿所述鳍条状结构的长度方向，所述鳍条状结构包括第一半导体区、第二半导体区、以及位于所述第一半导体区和所述第二半导体区之间的过渡区；

在所述半导体基底上形成牺牲栅；所述牺牲栅横跨在所述鳍条状结构包括的过渡区上；

在所述半导体基底上形成介电层；所述介电层覆盖在所述半导体基底上、且所述介电层的顶部与所述牺牲栅的顶部平齐；

去除所述牺牲栅；所述鳍条状结构位于所述过渡区内的部分形成所述鳍状结构。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在所述半导体基底上形成牺牲栅后，所述在所述半导体基底上形成介电层前，所述半导体器件的制造方法还包括：

对所述鳍条状结构位于所述第一沟道形成部两侧的部分进行处理，形成所述第一晶体管包括的第一源/漏区；并对所述鳍条状结构位于所述第二沟道形成部两侧的部分进行处理，形成所述第二晶体管包括的第二源/漏区。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述鳍条状结构位于所述第一沟道形成部两侧的部分进行处理、以及对所述鳍条状结构位于所述第二沟道形成部两侧的部分进行处理包括：

去除所述鳍条状结构位于所述第一半导体区和所述第二半导体区内的部分；

采用外延生长工艺和刻蚀工艺，在所述第一沟道形成部沿长度方向的两侧形成所述第一源/漏区；

在所述第一源/漏区上形成隔离介质层；

采用外延生长工艺，在所述隔离介质层上、且在所述第二沟道形成部沿长度方向的两侧形成所述第二源/漏区。