[发明专利]一种2.5D/3D高散热封装结构

说明书

本发明公开了一种2.5D/3D高散热封装结构，包括：基板和芯片封装单元；芯片封装单元设置于基板上；芯片封装单元包括至少两层芯片封装结构；每层芯片封装结构处分别设有内散热金属层；最外层的芯片封装结构的表面设有外散热金属层；两层以上的内散热金属层之间延伸焊接，且外散热金属层又与内散热金属层之间延伸焊接；基板的边部上设有边部散热金属层；且内散热金属层和外散热金属层的边缘均与基板上的边部散热金属层焊接。该封装结构无需复杂的贴装工艺，可以使集成芯片由内到外散热，并且散热面积大，散热效率较高。

技术领域

本发明涉及半导体芯片封装技术领域，特别涉及一种2.5D/3D高散热封装结构。

背景技术

随着科技技术的不断发展，人们对消费类电子产品的需求也越来越高，电子产品中的存储芯片是一个关键的核心零部件，因而，对于此芯片的封装要求也越来越高，如体积小、容量大、散热性能好等。在散热性能方面，目前行业内普遍采用在芯片表面贴装散热盖以通过热传递的方式来增加散热面积，但是随着2.5D及3D芯片的封装结构中芯片集成越来越多，采用散热盖的方式难以使集成芯片内部的热能得到直接有效的释放，造成芯片功能开发的障碍。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种2.5D/3D高散热封装结构。该封装结构无需复杂的贴装工艺，可以使集成芯片由内到外散热，并且散热面积大，散热效率较高。

为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现：

一种2.5D/3D高散热封装结构，包括：基板和芯片封装单元；芯片封装单元设置于基板上；芯片封装单元包括至少两层芯片封装结构；每层芯片封装结构处分别设有内散热金属层；最外层的芯片封装结构的表面设有外散热金属层；两层以上的内散热金属层之间延伸焊接，且外散热金属层又与内散热金属层之间延伸焊接；基板的边部上设有边部散热金属层；且内散热金属层和外散热金属层的边缘均与基板上的边部散热金属层焊接。

进一步的，所述基板的边缘处还设有与边部散热金属层相接的散热拓展裙边。

进一步的，芯片封装单元包括两层芯片封装结构，且第一层芯片封装结构设置于基础封装结构上；该基础封装结构包括金属重布线层和绝缘介质层；所述第一层芯片封装结构包括与金属重布线层电连接的第一层芯片、对第一层芯片进行包覆的第一塑封层以及设置于第一塑封层上的金属线路结构；该金属线路结构与所述金属重布线层电连接；第二层芯片封装结构包括与所述金属线路结构电连接的第二层芯片以及对第二层芯片进行包覆的第二塑封层。

更进一步的，第一塑封层与绝缘介质层之间以及第一塑封层与第二塑封层之间分别设有所述的内散热金属层。

进一步的，所述基板上设有基础线路层，该基础线路层与芯片封装单元电连接。

更进一步的，所述基板上还设有电性导出结构，该电性导出结构与基础线路层电连接。

更进一步的，所述电性导出结构为焊球。

进一步的，所述散热拓展裙边用于与外部的PCB板焊接。

本发明的有益效果是：

本发明的封装结构中的内散热金属层、外散热金属层以及基板上的边部散热金属层连接为一个整体，并形成一种包裹且穿插于芯片封装单元的散热金属结构，可以实现面积最大化散热，并可实现封装结构从内到外面积最大化的整体散热效果。

而且，本发明的封装结构可以省去芯片表面散热胶和粘性胶水，无需复杂的贴装工艺。

相比于现有技术，该封装结构可以增大散热面积，提高散热效率，有利于芯片功能开发。

附图说明

图1为本发明实施例的一种2.5D/3D高散热封装结构的结构示意图。