[发明专利]一种2.5D/3D高散热封装结构

权利要求书

1.一种2.5D/3D高散热封装结构，其特征在于，包括：基板和芯片封装单元；芯片封装单元设置于基板上；芯片封装单元包括至少两层芯片封装结构；每层芯片封装结构处分别设有内散热金属层；最外层的芯片封装结构的表面设有外散热金属层；两层以上的内散热金属层之间延伸焊接，且外散热金属层又与内散热金属层之间延伸焊接；基板的边部上设有边部散热金属层；且内散热金属层和外散热金属层的边缘均与基板上的边部散热金属层焊接。

2.根据权利要求1所述的一种2.5D/3D高散热封装结构，其特征在于，所述基板的边缘处还设有与边部散热金属层相接的散热拓展裙边。

3.根据权利要求1所述的一种2.5D/3D高散热封装结构，其特征在于，芯片封装单元包括两层芯片封装结构，且第一层芯片封装结构设置于基础封装结构上；该基础封装结构包括金属重布线层和绝缘介质层；所述第一层芯片封装结构包括与金属重布线层电连接的第一层芯片、对第一层芯片进行包覆的第一塑封层以及设置于第一塑封层上的金属线路结构；该金属线路结构与所述金属重布线层电连接；第二层芯片封装结构包括与所述金属线路结构电连接的第二层芯片以及对第二层芯片进行包覆的第二塑封层。

4.根据权利要求3所述的一种2.5D/3D高散热封装结构，其特征在于，第一塑封层与绝缘介质层之间以及第一塑封层与第二塑封层之间分别设有所述的内散热金属层。

5.根据权利要求1或3所述的一种2.5D/3D高散热封装结构，其特征在于，所述基板上设有基础线路层，该基础线路层与芯片封装单元电连接。

6.根据权利要求5所述的一种2.5D/3D高散热封装结构，其特征在于，所述基板上还设有电性导出结构，该电性导出结构与基础线路层电连接。

7.根据权利要求6所述的一种2.5D/3D高散热封装结构，其特征在于，所述电性导出结构为焊球。

8.根据权利要求2所述的一种2.5D/3D高散热封装结构，其特征在于，所述散热拓展裙边用于与外部的PCB板焊接。