[发明专利]侧向光模式调控高功率半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种侧向光模式调控高功率半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底层；

位于所述半导体衬底层上的有源层；

位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的热补偿层，所述热补偿层中具有主开口和沿着慢轴方向分别位于所述主开口两侧的副开口组，所述副开口组与所述主开口贯通，所述副开口组包括沿着出光方向排布的若干个副开口；沿着慢轴远离主开口的方向上，副开口的宽度递减，所述副开口的宽度平行于出光方向；

正面电极层，正面电极层包括电极注入区，所述电极注入区位于所述热补偿层背离所述半导体衬底层一侧表面、以及主开口和所述副开口组中；

所述热补偿层的导热率小于所述正面电极层的导热率。

2.根据权利要求1所述的侧向光模式调控高功率半导体器件，其特征在于，所述电极注入区背离所述有源层的顶面各处至所述有源层的距离一致。

3.根据权利要求1所述的侧向光模式调控高功率半导体器件，其特征在于，所述热补偿层的材料包括二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的侧向光模式调控高功率半导体器件，其特征在于，在出光方向上任意相邻的副开口的中心点之间的距离相等。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的侧向光模式调控高功率半导体器件，其特征在于，沿着慢轴方向位于所述主开口任意一侧的副开口组包括第一副开口至第N副开口，N为大于或等于2的整数；第一副开口至第N副开口自侧向光模式调控高功率半导体器件的后腔面至前腔面排布。

6.根据权利要求5所述的侧向光模式调控高功率半导体器件，其特征在于，第一副开口在正面电极层的表面的正投影至第N副开口的在正面电极层的表面的正投影的图形一致。

7.根据权利要求5所述的侧向光模式调控高功率半导体器件，其特征在于，第一副开口在正面电极层的表面的正投影的面积至第N副开口的在正面电极层的表面的正投影的面积递减；自后腔面至前腔面的方向上，所述主开口在慢轴方向上的尺寸递增。

8.根据权利要求5所述的侧向光模式调控高功率半导体器件，其特征在于，第一副开口在正面电极层的表面的正投影的面积至第N副开口在正面电极层的表面的正投影的面积递增；自后腔面至前腔面的方向上，所述主开口在慢轴方向上的尺寸不变。

9.根据权利要求5所述的侧向光模式调控高功率半导体器件，其特征在于，第一副开口至第N副开口中任意相邻两个副开口邻接或间隔设置。

10.根据权利要求1所述的侧向光模式调控高功率半导体器件，其特征在于，所述副开口在正面电极层的表面的正投影的图形为三角形或梯形。

11.根据权利要求1所述的侧向光模式调控高功率半导体器件，其特征在于，还包括：与所述正面电极层相对设置的热沉；位于所述热沉和所述热补偿层之间的焊接层。

12.根据权利要求1所述的侧向光模式调控高功率半导体器件，其特征在于，还包括：有源层和所述热补偿层之间的上限制层；位于所述上限制层和所述热补偿层之间的接触层。

13.一种侧向光模式调控高功率半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底层；

在所述半导体衬底层上形成有源层；

在所述有源层背离所述半导体衬底层的一侧形成热补偿层，所述热补偿层中具有主开口和沿着慢轴方向分别位于所述主开口两侧的副开口组，所述副开口组与所述主开口贯通，所述副开口组包括沿着出光方向排布的若干个副开口；沿着慢轴远离主开口的方向上，副开口的宽度递减，所述副开口的宽度平行于出光方向；

形成正面电极层，正面电极层包括电极注入区，所述电极注入区位于所述热补偿层背离所述半导体衬底层一侧表面、以及主开口和所述副开口组中；

所述热补偿层的导热率小于所述正面电极层的导热率。