[发明专利]器件镀膜方法、镀膜轨道以及器件镀膜机构

说明书

本申请公开了器件镀膜方法、镀膜轨道以及器件镀膜机构，其中，器件镀膜方法包括：提供载具，将待镀膜器件设置在载具上；提供镀膜轨道和托盘，镀膜轨道具有相互对接的第一段坡道和第二段坡道，第一段坡道和第二段坡道均具有高端和低端，第一段坡道的高端和第二段坡道的高端对接；将载具安装在托盘上，采用物理气相沉积方式进行镀膜，镀膜轨道的第一段坡道和第二段坡道的对接处位于镀膜源下方，镀膜时，托盘带动载具往复移动，在待镀膜器件的正面和侧面形成镀膜层。本申请载具在第一段坡道和第二段坡道往复移动时，器件侧面由竖直变为与竖直成一定角度，接受自上而下沉积的镀膜原子的概率增加，能够有效降低器件侧面和正面之间的镀膜厚度差。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及器件镀膜方法、镀膜轨道以及器件镀膜机构。

背景技术

器件需要表面金属化来达到电磁屏蔽等功能，常规通过PVD溅射镀膜工艺实现，使溅射原子沉积到器件表面及四周侧壁。

如图1和图2所示，传统镀膜工艺如下：

1.将双面胶层4一面平贴在载具1上，将待镀膜器件2贴在双面胶层4的另一面上，待镀膜器件2的其中两个侧壁与载具1的移动方向平行；

2.采用物理气相沉积方法进行镀膜作业，将载具1固定在托盘5上，镀膜过程中，托盘5沿镀膜轨道3方向往复移动，带动载具1在镀膜源6下方前后震荡(沿X方向)，保证镀膜过程的一致性。

传统镀膜方法的缺点为：镀膜原子61靠重力作用沉积到器件表面，载具1在溅镀腔体内沿镀膜轨道3做一维水平往复运动，运动方向与镀膜原子61的沉积方向垂直，器件侧面接收到的镀膜原子61概率较正面低得多，为了保证器件表面屏蔽效能，保证侧面最薄镀膜厚度，需要消耗更多的时间及镀膜材料，造成镀膜效率低及材料浪费。

发明内容

本发明针对上述问题，提出了器件镀膜方法、镀膜轨道以及器件镀膜机构。

本发明采取的技术方案如下：

一种器件镀膜方法，包括：

提供载具，将待镀膜器件设置在所述载具上；

提供镀膜轨道和托盘，所述镀膜轨道具有相互对接的第一段坡道和第二段坡道，第一段坡道和第二段坡道均具有高端和低端，第一段坡道的高端和第二段坡道的高端对接，所述托盘与镀膜轨道配合，能够在镀膜轨道上往复移动；

将设置有待镀膜器件的载具安装在托盘上，采用物理气相沉积方式进行镀膜，镀膜轨道的第一段坡道和第二段坡道的对接处位于镀膜源下方，镀膜时，托盘带动载具往复移动，在待镀膜器件的正面和侧面形成镀膜层。

本申请镀膜轨道的第一段坡道和第二段坡道的对接处为镀膜轨道的高点，这样设计后，载具在第一段坡道和第二段坡道往复移动时，器件侧面由竖直变为与竖直成一定角度，接受自上而下沉积的镀膜原子的概率增加，镀膜时能够有效降低器件侧面和正面之间的镀膜厚度差。

本申请中，第一段坡道的高端和第二段坡道的高端对接可以是直接接触，也可以是不接触，比如当镀膜轨道包括多个滚轮时，第一段坡道的高端和第二段坡道的高端可以不接触。

实际运用时，本申请的镀膜轨道可以为现有的多种形式的轨道。

于本发明其中一实施例中，所述第一段坡道和第二段坡道均倾斜设置，且相对于水平面的倾斜角度相同；所述第一段坡道和第二段坡道所呈角度a大于等于120°且小于180°。

传统镀膜工艺中，待镀膜器件的其中两个侧壁与载具的移动方向平行，导致器件在运动方向上的两个侧面的镀膜厚度较与载具的移动方向平行的两个侧面镀膜厚度大，四个侧面镀层厚度一致性差，同理，为了保证器件表面屏蔽效能，保证侧面最薄镀膜厚度达标，需要消耗更多的时间及镀膜材料，造成镀膜效率低及材料浪费。于本发明其中一实施例中，所述待镀膜器件摆放方向与载具运动方向所呈角度b大于等于30°且小于等于60°。