[发明专利]显示装置

说明书

本发明为了提供由包含氧化物半导体的薄膜晶体管驱动而可以降低显示装置的功耗的同时还能够高集成化的显示装置，提供一种显示装置，包括：基板，包括依次层叠的下有机层、下阻挡层、上有机层以及上阻挡层；像素电路层，位于所述基板上；以及显示要件层，位于所述像素电路层上，所述上阻挡层包括：第一无机阻挡层，配置在所述上有机层上；屏蔽层，配置在所述第一无机阻挡层上，并包含氧化物半导体物质；以及第二无机阻挡层，配置在所述屏蔽层上。

技术领域

本发明涉及一种显示装置，更详细而言，涉及一种由包含氧化物半导体的薄膜晶体管驱动的显示装置。

背景技术

通常，显示装置包括显示要件以及用于控制施加到显示要件的电信号的驱动电路。驱动电路包括薄膜晶体管(TFT；Thin Film Transistor)、存储电容器以及多个布线。

为了准确控制显示要件的发光与否以及发光程度，增加了电连接于一个显示要件的薄膜晶体管的数量。由此，正在积极地进行用于解决显示装置的高集成化以及功耗的问题的研究。

发明内容

本发明的实施例的目的在于，提供一种由包含氧化物半导体的薄膜晶体管驱动而可以降低显示装置的功耗的同时还提高显示质量的显示装置。

但是，这种课题是示例性的，本发明的范围不限于此。

根据本发明的一实施方式，提供一种显示装置，包括：基板，包括依次层叠的下有机层、下阻挡层、上有机层以及上阻挡层；像素电路层，位于所述基板上；以及显示要件层，位于所述像素电路层上，所述上阻挡层包括：第一无机阻挡层，配置在所述上有机层上；屏蔽层，配置在所述第一无机阻挡层上，并包含氧化物半导体物质；以及第二无机阻挡层，配置在所述屏蔽层上。

在一实施例中，可以是，所述屏蔽层包含IGZO(铟镓锌氧化物；Indium GalliumZinc Oxide)、ITZO(铟锡锌氧化物；Indium Tin Zinc Oxide)以及ITGZO(铟锡镓锌氧化物；Indium Tin Gallium Zinc Oxide)中的任意一种以上。

在一实施例中，可以是，所述屏蔽层的厚度是至

在一实施例中，可以是，所述屏蔽层覆盖所述基板的整个面。

在一实施例中，可以是，所述上有机层包含聚酰亚胺(polyimide)。

在一实施例中，可以是，显示装置还包括：第一缓冲层以及第二缓冲层，介于所述基板和所述像素电路层之间，所述第二无机阻挡层包含第一无机绝缘物质，所述第一缓冲层包含第二无机绝缘物质，所述第一无机绝缘物质以及所述第二无机绝缘物质是彼此不同的物质。

在一实施例中，可以是，所述第二无机绝缘物质包括硅氮化物(SiN_X)。

在一实施例中，可以是，所述第一无机绝缘物质包括硅氧化物(SiO_X)。

在一实施例中，可以是，所述第一无机阻挡层包含所述第一无机绝缘物质。

在一实施例中，可以是，所述第二无机阻挡层的厚度、所述第一缓冲层的厚度以及所述第二缓冲层的厚度之和是至

在一实施例中，可以是，所述像素电路层包括薄膜晶体管以及所述薄膜晶体管上的电极层，所述薄膜晶体管包括半导体层以及至少一部分与所述半导体层重叠的栅极电极，所述屏蔽层包含与所述半导体层相同的物质。

基于以下的附图、权利要求书以及发明的详细说明，除了前述之外的其它方面、特征、优点将变得清楚。

根据如上所述构成的本发明的一实施例，可以最小化基板的诱导取向极化现象，从而实现质量提高的显示装置。显然，本发明的范围不限于这种效果。

附图说明