[发明专利]用于衬底切分的设备及方法

说明书

公开了一种用于切分衬底的方法和设备。该用于切分衬底的方法包括：设置用于在目标衬底内形成第一改造区的目标高度，目标高度是从目标衬底的上表面至第一改造区的距离；向包括第一膜和与第一膜接触的第二膜的第一样本衬底辐射激光束，并且基于致使在第一膜的与第二膜接触的上表面上形成激光束的会聚点的样本条件设置目标条件；以及根据目标条件用激光束辐射目标衬底，以在目标衬底内形成第一改造区，其中，第二膜的厚度是目标高度。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年9月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0128921的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本公开涉及一种用于切分衬底的方法和用于切分衬底的设备。

背景技术

可通过各种工艺制造半导体。例如，半导体制造工艺可包括切割晶圆等的工序。可按照各种方式切割晶圆。可用刀片切割晶圆。可替换地，可用激光切割晶圆。为了用激光切割晶圆，可使用在晶圆内会聚激光束的隐形切分方法。晶圆内的会聚了激光束的一部分中可能出现裂纹。晶圆可基于裂纹部分被切分。

发明内容

本公开的各方面提供了一种准确度改进的用于切分衬底的方法。

本公开的各方面还提供了一种准确度改进的用于切分衬底的设备。

根据本公开的一方面，一种用于切分衬底的方法包括：设置用于在目标衬底内形成第一改造区的目标高度，目标高度是从目标衬底的上表面至第一改造区的距离；向包括第一膜和与第一膜接触的第二膜的第一样本衬底辐射激光束，并且基于致使在第一膜的与第二膜接触的上表面上形成激光束的会聚点的样本条件设置目标条件；以及根据目标条件用激光束辐射目标衬底，以在目标衬底内形成第一改造区，其中，第二膜的厚度是目标高度。

根据本公开的一方面，一种用于切分衬底的方法包括：用第一激光束辐射包括第一膜和与第一膜接触的第二膜的第一样本衬底；监视第一激光束被第一膜的与第二膜接触的上表面反射导致的第二激光束，并且基于致使第一激光束在第一膜的上表面上形成会聚点的样本条件设置目标条件；以及根据目标条件在与第一样本衬底不同的目标衬底内形成第一改造区，并且切分目标衬底。

根据本公开的一方面，一种用于切分衬底的设备包括：激光生成器，其生成激光束；操作台，其上装有包括对激光束的反射率高于对激光束的吸收率的第一膜和与第一膜接触的第二膜的第一样本衬底；光学系统，其用激光束辐射第一样本衬底；以及控制器，其监视被第一膜的与第二膜接触的上表面反射的激光束，并且控制操作台和光学系统中的至少一个，以设置目标条件，使得激光束的会聚点形成在第一膜的上表面上，其中，当第一样本衬底从操作台卸下并且装载包括与第二膜相同的材料的目标衬底时，控制器根据目标条件控制操作台和光学系统，以控制目标衬底内的改造区。

然而，本公开的各方面不限于本文所述的方面。通过参考下文对本公开的详细描述，本公开的内容和其他方面将对本发明所属领域的普通技术人员更加明显。

附图说明

通过参照附图详细描述本公开的示例性实施例，本公开的这些和其它方面和特征将变得清楚，在附图中：

图1是用于解释根据一些实施例的用于切分衬底的设备的图；

图2是用于解释根据一些实施例的用于切分衬底的方法的流程图；

图3是用于解释根据图2的用于切分衬底的方法的图；

图4是用于解释图2的步骤S300的流程图；

图5是用于解释图4的步骤S310的流程图；

图6和图7是用于解释根据图5的用于切分衬底的方法的图；

图8是用于解释根据一些实施例的用于切分衬底的设备的图；