[发明专利]适用于毫米波频段的高精度去嵌入方法及装置

说明书

本申请涉及一种适用于毫米波频段的高精度去嵌入方法及装置，方法利用辅助去嵌结构包括直通结构、短路结构和开路结构，其中，方法包括：基于直通结构的ABCD矩阵，求解左边GSG焊盘和右边的GSG焊盘的ABCD矩阵；基于短路结构和开路结构的ABCD矩阵，求解第一传输线和第二传输线的ABCD矩阵；根据左边GSG焊盘和右边的GSG焊盘的ABCD矩阵及第一传输线和第二传输线的ABCD矩阵求解待测器件的ABCD矩阵，并将待测器件的ABCD矩阵转换为S参数，以完成去嵌。由此，解决了嵌入算法应用频率低、操作复杂等问题。

技术领域

本申请涉及毫米波频段的测试及建模技术领域，特别涉及一种适用于毫米波频段的高精度去嵌入方法及装置。

背景技术

随着CMOS工艺的发展，毫米波集成电路已成为当今研究的热点。测量是射频集成电路器件建模的基础。由于GSG焊盘和金属互连线组成的结构嵌入在待测结构中，所以无法直接获得晶圆上器件的固有特性。因此，通过去嵌入算法从测量中去除寄生参数至关重要。

目前，相关技术中，Open-Short去嵌入算法使用最为广泛，但是该算法的精度随着频率的升高而降低。工业界和学术界相继提出了许多替代Open-Short的算法，例如Open-Short-Load算法和Pad-Open-Short算法，然而这些算法都是基于集总串联/并联模型，并且在50GHz以上的频率失效。为了克服集总串联/并联算法的不足，TRL算法和通用的级联去嵌入算法被提出，该算法可以在高达110GHz的频率下实现去嵌入，然而，TRL算法和通用的级联去嵌入算法的辅助结构较为复杂，在先进CMOS工艺下，设计和测试成本较高。

综上所述，去嵌入算法应用频率低、操作复杂，难以为毫米波频段的器件建模提供有力保障，亟待解决。

发明内容

本申请提供一种适用于毫米波频段的高精度去嵌入方法及装置，以解决去嵌入算法应用频率低、操作复杂等问题。

本申请第一方面实施例提供一种适用于毫米波频段的高精度去嵌入方法，方法利用辅助去嵌结构包括直通结构、短路结构和开路结构，其中，所述方法包括以下步骤：基于所述直通结构的ABCD矩阵，求解左边GSG焊盘和右边的GSG焊盘的ABCD矩阵；基于所述短路结构和所述开路结构的ABCD矩阵，求解第一传输线和第二传输线的ABCD矩阵；以及根据所述左边GSG焊盘和所述右边的GSG焊盘的ABCD矩阵及所述第一传输线和所述第二传输线的ABCD矩阵求解待测器件的ABCD矩阵，并将所述待测器件的ABCD矩阵转换为S参数，以完成去嵌。

可选地，在本申请的一个实施例中，所述左边GSG焊盘和所述右边的GSG焊盘的ABCD矩阵的表达式为：

其中，分别表示左边的GSG焊盘、右边的GSG焊盘。

可选地，在本申请的一个实施例中，所述第一传输线和所述第二传输线的ABCD矩阵的表达式为：

其中，表示传输线TL₂的ABCD矩阵；Z_c1为传输线TL₁的特征阻抗；L₂为传输线TL₂的长度；Z_c2表示传输线TL₂的特征阻抗；γ₂为传输线TL₂的传播常数。

可选地，在本申请的一个实施例中，所述待测器件的ABCD矩阵的求解公式为：

其中，A_INT表示本征器件；A_DUT表示DUT结构的ABCD矩阵。