[发明专利]一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路

说明书

本发明提供了一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路，包括MCU最小系统，还包括电容充电控制电路及电容充电驱动电路，MCU最小系统、电容充电控制电路、电容充电及驱动电路依次相连，MCU最小系统与电容充电及驱动电路连接，电容充电控制电路包括通用逻辑门芯片U8，电容充电及驱动电路包括通用逻辑门芯片U9、驱动器U10、三极管Q3、Q2、N1和激光二极管LD1。本发明MCU最小系统是电路核心，在准备测距之前发送信号使充电停止，防止测距过程中电流冲击噪声对系统产生的干扰，有效解决在激光测距中，电容充电时产生的电流冲击噪声对系统产生的干扰，以保持测距系统的稳定性。

技术领域

本发明属于激光测距领域，涉及电容充电控制电路，具体涉及一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路。

背景技术

在激光测距的激光光电转换模块中，激光器采用LD泵浦Nd：YAG晶体结合被动调Q技术实现脉冲激光输出，腔外楔形镜微调激光器出射的激光方向,出光探测器通过探测输出激光的漫反射光触发控制电路开始计时，发射光学系统将激光扩束准直到较小的束散角预定值，接收光学系统收集从目标反射回来的回波信号聚集到光电探测器APD的感光面上，经过光电信号转换后，触发控制电路停止计时，通过光速换算停止测距。

在激光测距过程中，需要储能电容放电以驱动光电转换模块，储能电容需要较高电容充电电压；储能电容在充电时会产生一个较大的电流冲击噪声，若在测距过程中，该电流冲击噪声可能会对系统产生干扰，因此需要一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路。

发明内容

有鉴于此，为解决上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供了一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路，有效解决在激光测距中，电容充电时产生的电流冲击噪声对系统产生的干扰，以保持测距系统的稳定性。

为实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：

一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路，包括MCU最小系统，还包括电容充电控制电路及电容充电驱动电路，所述MCU最小系统、电容充电控制电路、电容充电及驱动电路依次相连，MCU最小系统与电容充电及驱动电路连接，所述MCU最小系统控制电容充电控制电路、电容充电及驱动电路停止电容充电，从而避免容充电时产生的电流冲击噪声对系统产生干扰；

所述电容充电控制电路包括通用逻辑门芯片U8，通用逻辑门芯片U8的1脚为B端且经电阻R22分为两条支路，其中一条支路与连接MCU最小系统的信号TRI+的25脚相连，另一条支路经电阻R2接地，通用逻辑门芯片U8的2脚为A端与MCU最小系统的信号TRI_EN的 39脚相连，通用逻辑门芯片U8的2脚还经电阻R20接地，通用逻辑门芯片U8的3脚接地，通用逻辑门芯片U8的4脚为Y端经电阻R24接地输出信号FIRE，通用逻辑门芯片U8的5脚为VCC端并接供电电压；

所述电容充电及驱动电路包括通用逻辑门芯片U9、驱动器U10、三极管Q3、MOS管Q2、MOS管N1和激光二极管LD1，所述通用逻辑门芯片U9的2脚为A端连接信号FIRE，通用逻辑门芯片U9的4脚、5脚之间连接设有电阻R29，通用逻辑门芯片U9的4脚为Y端经电阻R30与三极管Q3基极连接，所述三极管Q3的发射极接地，所述三极管Q3的集电极通过电阻R28、电阻R27与MOS管Q2的栅极连接，电阻R27通过电阻R26连接MOS管Q2的漏极，所述MOS管Q2的漏极还经过电容C39接保护地，所述MOS管Q2的源极经串联的电阻R31、激光二极管LD1与MOS管N1的漏极连接，激光二极管LD1与电容C41、C42并联，电容C43、44、45、46、47、48并联后的一端分别与电容C42、电源LDA+连接，另一端接保护地，MOS管N1的源极通过电阻RS1接地，MOS管N1的栅极分别通过电阻R33与驱动器U10的2脚连接、通过电阻R32与驱动器U10的3脚连接，驱动器U10的1脚接电源正极+15V，还通过电容C49接地，驱动器U10的6脚连接信号TRI+。

进一步的，所述通用逻辑门芯片U8型号为NL17SZ08DFT2G。

进一步的，所述MCU最小系统采用STM32系列单片机。