[发明专利]一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路

权利要求书

1.一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路，包括MCU最小系统，其特征在于：还包括电容充电控制电路及电容充电驱动电路，所述MCU最小系统、电容充电控制电路、电容充电及驱动电路依次相连，MCU最小系统与电容充电及驱动电路连接，所述MCU最小系统控制电容充电控制电路、电容充电及驱动电路停止电容充电，从而避免容充电时产生的电流冲击噪声对系统产生干扰；

所述电容充电控制电路包括通用逻辑门芯片U8，通用逻辑门芯片U8的1脚为B端且经电阻R22分为两条支路，其中一条支路与连接MCU最小系统的信号TRI+的25脚相连，另一条支路经电阻R2接地，通用逻辑门芯片U8的2脚为A端与MCU最小系统的信号TRI_EN的 39脚相连，通用逻辑门芯片U8的2脚还经电阻R20接地，通用逻辑门芯片U8的3脚接地，通用逻辑门芯片U8的4脚为Y端经电阻R24接地输出信号FIRE，通用逻辑门芯片U8的5脚为VCC端并接供电电压；

所述电容充电及驱动电路包括通用逻辑门芯片U9、驱动器U10、三极管Q3、MOS管Q2、MOS管N1和激光二极管LD1，所述通用逻辑门芯片U9的2脚为A端连接信号FIRE，通用逻辑门芯片U9的4脚、5脚之间连接设有电阻R29，通用逻辑门芯片U9的4脚为Y端经电阻R30与三极管Q3基极连接，所述三极管Q3的发射极接地，所述三极管Q3的集电极通过电阻R28、电阻R27与MOS管Q2的栅极连接，电阻R27通过电阻R26连接MOS管Q2的漏极，所述MOS管Q2的漏极还经过电容C39接保护地，所述MOS管Q2的源极经串联的电阻R31、激光二极管LD1与MOS管N1的漏极连接，激光二极管LD1与电容C41、C42并联，电容C43、44、45、46、47、48并联后的一端分别与电容C42、电源LDA+连接，另一端接保护地，MOS管N1的源极通过电阻RS1接地，MOS管N1的栅极分别通过电阻R33与驱动器U10的2脚连接、通过电阻R32与驱动器U10的3脚连接，驱动器U10的1脚接电源正极+15V，还通过电容C49接地，驱动器U10的6脚连接信号TRI+。

2.根据权利要求1所述的一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路，其特征在于：所述通用逻辑门芯片U8型号为NL17SZ08DFT2G。

3.根据权利要求1所述的一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路，其特征在于：所述MCU最小系统采用STM32系列单片机。

4.根据权利要求1所述的一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路，其特征在于：所述通用逻辑门芯片U9的2脚为A端且连接MCU最小系统FIRE端口，通用逻辑门芯片U9的1脚为B端连接供电电压，5脚连接供电电压。

5.根据权利要求4所述的一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路，其特征在于：所述供电电压为+3.3V。

6.根据权利要求1所述的一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路，其特征在于：所述MOS管Q2的漏极连接电源正极+47V。

7.根据权利要求3所述的一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路，其特征在于：所述MCU最小系统的5脚和6脚与晶振Y2相连后接地，MCU最小系统的5脚与电容C38相连后接地，MCU最小系统的6脚和电容C37相连后接地。

8.根据权利要求7所述的一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路，其特征在于：所述MCU最小系统的7脚为复位端口，MCU最小系统的1脚用于连接供电电压。

9.根据权利要求8所述的一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路，其特征在于：所述MCU最小系统的8脚为接地，44脚和电阻R23相连后接地。

10.根据权利要求9所述的一种适用于手持激光测距机的电流冲击噪声抑制电路，其特征在于：所述MCU最小系统连接有调试接口。