[发明专利]一种半金属化槽孔结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半金属化槽孔结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、依次进行开料-内层线路-压合-钻通孔；其中，压合后，两个含导体线路的芯板通过半固化片(120)压合粘结在一起；

步骤二、锣PTH槽；

步骤三、对PTH槽进行第一次控深锣，形成一次控深锣槽孔，一次控深锣槽孔与PTH槽的槽孔同心设置且一次控深锣槽孔直径大于PTH槽的槽孔的直径，形成T形槽孔；一次控深锣槽孔的深度达到半固化片(120)的中部；

步骤四、PTH电镀；

步骤五、依次进行外层线路-阻焊-字符；

步骤六、二次控深锣，锣除第一次控深锣的锣孔侧壁上部的金属层，形成非导通孔；

步骤七、依次进行表面处理-锣板-电测-FQC-FQA，得到含有半金属化槽孔结构的PCB板。

2.如权利要求1所述的半金属化槽孔结构的制作方法，其特征在于，两个含导体线路分别为第一含导体线路的芯板(111)和第二含导体线路的芯板(112)；第一含导体线路的芯板(111)和第二含导体线路的芯板(112)通过半固化片(120)压合粘结在一起，且第一含导体线路的芯板(111)处于第二含导体线路的芯板(112)上方，其中，设第一含导体线路的芯板(111)顶部的铜层为L1层，底部的铜层为L2层，第二含导体线路的芯板(112)顶部的铜层为L3层，底部的铜层为L4层，步骤三中，第一次控深锣时穿过L2层并不可钻穿层L3层。

3.如权利要求1所述的半金属化槽孔结构的制作方法，其特征在于，所述步骤三中，进行第一次控深锣时，形成平地锣槽，槽刀底部锯齿状深度＞25um，保证锣底粗糙度Rz≥25um。

4.如权利要求2所述的半金属化槽孔结构的制作方法，其特征在于，所述步骤六中，二次控深锣时，控深锣深度处于L1层-L2层之间，且若L1层-L2层之间的厚度为h1mm，则控深锣深度的深度为h1-0.1mm。

5.如权利要求1所述的半金属化槽孔结构及其制作方法，其特征在于，所述步骤六中，二次控深锣时，深锣的尺寸大小较安装的双T型器件的长、宽轮廓等大或单边大0.1mm。

6.如权利要求5所述的半金属化槽孔结构的制作方法，其特征在于，安装的双T型器件的拐角位置设置有缩减的过度带。

7.一种半金属化槽孔结构，其特征在于，包括PCB板结构，PCB板结构第一含导体线路的芯板(111)和第二含导体线路的芯板(112)；第一含导体线路的芯板(111)和第二含导体线路的芯板(112)通过半固化片(120)压合粘结在一起，且第一含导体线路的芯板(111)处于第二含导体线路的芯板(112)上方，其中，第一含导体线路的芯板(111)顶部的铜层为L1层，底部的铜层为L2层，第二含导体线路的芯板(112)顶部的铜层为L3层，底部的铜层为L4层；PCB板结构上成形有双T型槽；双T型槽的上部为NPTH槽孔(320)，下部为PTH槽孔(310)，其中NPTH槽孔(320)处于L2层上方；PTH槽孔(310)的内壁为PTH金属化铜层(311)，PTH金属化铜层(311)将L2层、L3层和L4层导通。

8.如权利要求7所述的半金属化槽孔结构，其特征在于，所述双T型槽内焊接固定有双T型器件，双T型槽较安装的双T型器件的长、宽轮廓等大或单边大0.1mm以下。

9.如权利要求7所述的半金属化槽孔结构，其特征在于，所述双T型槽处于半固化片(120)处的水平表面为粗糙面。

10.如权利要求9所述的半金属化槽孔结构，其特征在于，所述粗糙面的粗糙度Rz≥25um。