[发明专利]一种高带宽裸片的制作方法及高带宽裸片

权利要求书

1.一种高带宽裸片的制作方法，其特征在于，包括：

将第一晶圆的第一金属层与第二晶圆的第一金属层键合；

减薄所述第二晶圆的硅基底层，直至暴露出所述第二晶圆的第一前道工艺FEOL介质层；

在所述第一FEOL介质层上方搭建第一后道工艺BEOL介质层；

在所述第一BEOL介质层上方搭建所述第二晶圆的第二金属层；

将所述第二晶圆的第二金属层与第三晶圆的金属层键合。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第二晶圆的硅基底层与所述第一FEOL介质层之间插入一牺牲层；

所述减薄所述第二晶圆的硅基底层，直至暴露出所述第一FEOL介质层，包括：

减薄所述第二晶圆的硅基底层，直至暴露出所述牺牲层；

减薄所述牺牲层，直至暴露出所述第一FEOL介质层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第三晶圆的硅基底层中埋入硅通孔TSV，所述TSV朝向背离所述第三晶圆的FEOL介质层的方向延伸。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第一晶圆的硅基底层中埋入硅通孔TSV，所述TSV朝向背离所述第一晶圆的第二FEOL介质层的方向延伸。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述将第一晶圆的第一金属层与第二晶圆的第一金属层键合之前，所述方法还包括：

减薄第一晶圆的硅基底层，直至暴露出所述第一晶圆的第二前道工艺FEOL介质层；

在所述第二FEOL介质层上方搭建第三BEOL介质层；

在所述第三BEOL介质层上方搭建所述第一晶圆的第二金属层；

将所述第一晶圆的第二金属层与第四晶圆的金属层键合。

6.一种高带宽裸片，其特征在于，包括：第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆；所述第二晶圆包括相对设置的第一金属层和第二金属层；

所述第二晶圆的第一金属层与所述第一晶圆的第一金属层键合，所述第二晶圆的第二金属层与所述第三晶圆的金属层键合。

7.根据权利要求6所述的高带宽裸片，其特征在于，所述第二晶圆还包括依次设置的第一后道工艺BEOL介质层、第一前道工艺FEOL介质层以及第四BEOL介质层；所述第一BEOL介质层由所述第一FEOL介质层的第一表面长出，所述第四BEOL介质层由所述第一FEOL介质层的第二表面长出，所述第一表面与所述第二表面相对；

所述第二晶圆的第一金属层设置于所述第四BEOL介质层的第三表面，所述第二晶圆的第二金属层设置于所述第一BEOL介质层的第四表面，所述第三表面为所述第一BEOL介质层上背离所述第一FEOL介质层的表面，所述第四表面为所述第一BEOL介质层上背离所述第一FEOL介质层的表面。

8.根据权利要求6所述的高带宽裸片，其特征在于，所述第三晶圆的硅基底层中设置有硅通孔TSV，所述TSV朝向背离所述第三晶圆的FEOL介质层的方向延伸。

9.根据权利要求6所述的高带宽裸片，其特征在于，所述第一晶圆的硅基底层中设置有TSV，所述TSV朝向背离所述第一晶圆的第二FEOL介质层的方向延伸。

10.根据权利要求6所述的高带宽裸片，其特征在于，所述高带宽裸片还包括第四晶圆；

所述第一晶圆还包括依次设置的第二BEOL介质层、第二FEOL介质层以及第三BEOL介质层；所述第二BEOL介质层由所述第二FEOL介质层的第五表面长出，所述第三BEOL介质层由所述第二FEOL介质层的第六表面长出，所述第五表面与所述第六表面相对；

所述第一晶圆的第一金属层设置于所述第二BEOL介质层的第七表面，所述第一晶圆的第二金属层设置于所述第三BEOL介质层的第八表面，所述第七表面为所述第二BEOL介质层上背离所述第二FEOL介质层的表面，所述第八表面为所述第三BEOL介质层上背离所述第二FEOL介质层的表面。