[发明专利]出光控制方法及出光控制设备

说明书

本发明公开了一种出光控制方法及出光控制设备，所述出光控制方法包括步骤：将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层；通过所述高折射率材料层和所述低折射率材料层，形成反射型增强膜系，以使所述反射型增强膜系将接收到的光线反射至所述高压LED芯片的外部。本发明提高了高压LED芯片外量子出光效率。

技术领域

本发明涉及LED技术领域，尤其涉及一种出光控制方法及出光控制设备。

背景技术

在手机、电视、笔电等显示领域，随着对画质要求提升，HDR(高动态范围成像HighDynamic Range Imaging)峰值高亮度，多分区细分控光技术受到市场欢迎。多分区细分控光技术即为单独控制高压LED(发光二极管light-emitting diode)芯片中每个单胞LED芯片的发光，由于单胞LED芯片为五面体结构，且为五面发光形式，即在顶面和四个侧面都会出光，但是在相邻单胞LED芯片之间，相邻侧面发出的光会被彼此吸收，导致无法从四个侧面发光面出光，降低高压LED芯片的光提取率，减弱其发光能力，如上光线的耦合传播问题会在高压LED芯片的每个单胞LED芯片之间的四个侧壁发光面都会产生。整体高压LED芯片的出光效率就会大幅降低，造成光电转化效率损耗，即造成高压LED芯片外量子出光效率低。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种出光控制方法及出光控制设备，旨在解决高压LED芯片外量子出光效率低的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种出光控制方法，所述出光控制方法包括步骤：

将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层；

通过所述高折射率材料层和所述低折射率材料层，形成反射型增强膜系，以使所述反射型增强膜系将接收到的光线反射至所述高压LED芯片的外部。

可选地，所述将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层的步骤包括：

将高折射率材料涂覆于高压LED芯片中单胞芯片的侧面上的低折射材料层上，得到位于所述低折射材料层上的高折射材料层，其中，所述单胞芯片的数量为多个。

可选地，所述将高折射材料涂覆于高压LED芯片中单胞芯片的侧面上的低折射材料层上，得到位于所述低折射材料层上的高折射材料层的步骤包括：

获取低折射率材料层的第一参数，根据所述第一参数、所述高折射率材料的预设第二参数和所述高压LED芯片的峰值波长，得到高折射率材料层的待涂覆厚度；

根据所述待涂覆厚度，在高压LED芯片中单胞芯片的侧面上涂覆所述高折射率材料，以形成高折射率率材料层。

可选地，所述第一参数包括低折射率材料层的第一折射率和第一膜厚度；所述预设第二参数包括高折射率材料的第二折射率；

根据所述第一参数、所述高折射率材料的预设第二参数和所述高压LED芯片的峰值波长，得到高折射率材料层的待涂覆厚度的步骤包括：

根据第一折射率、第一膜厚度、第二折射率以及所述高压LED芯片的峰值波长，得到高折射率材料层的待涂覆厚度。

可选地，所述将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层的步骤之前，还包括：

在蓝宝石衬底上依次外延生长Gan缓冲层、N-GaN层、MQW量子阱层、P-GaN层和ITO层；

采用CL2/BCL3的混合气体对所述Gan缓冲层、所述N-GaN层、所述MQW量子阱层、所述P-GaN层和所述ITO层进行刻蚀，得到所有所述单胞芯片的外延层；

将低折射率材料涂覆于所述蓝宝石衬底上和所述外延层上，形成低折射率材料层，并得到所述高压LED芯片。