[发明专利]出光控制方法及出光控制设备

权利要求书

1.一种出光控制方法，其特征在于，所述出光控制方法包括步骤：

将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层；

通过所述高折射率材料层和所述低折射率材料层，形成反射型增强膜系，以使所述反射型增强膜系将接收到的光线反射至所述高压LED芯片的外部。

2.如权利要求1所述的出光控制方法，其特征在于，所述将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层的步骤包括：

将高折射率材料涂覆于高压LED芯片中单胞芯片的侧面上的低折射材料层上，得到位于所述低折射材料层上的高折射材料层，其中，所述单胞芯片的数量为多个。

3.如权利要求2所述的出光控制方法，其特征在于，所述将高折射材料涂覆于高压LED芯片中单胞芯片的侧面上的低折射材料层上，得到位于所述低折射材料层上的高折射材料层的步骤包括：

获取低折射率材料层的第一参数，根据所述第一参数、所述高折射率材料的预设第二参数和所述高压LED芯片的峰值波长，得到高折射率材料层的待涂覆厚度；

根据所述待涂覆厚度，在高压LED芯片中单胞芯片的侧面上涂覆所述高折射率材料，以形成高折射率率材料层。

4.如权利要求3所述的出光控制方法，其特征在于，所述第一参数包括低折射率材料层的第一折射率和第一膜厚度；所述预设第二参数包括高折射率材料的第二折射率；

根据所述第一参数、所述高折射率材料的预设第二参数和所述高压LED芯片的峰值波长，得到高折射率材料层的待涂覆厚度的步骤包括：

根据第一折射率、第一膜厚度、第二折射率以及所述高压LED芯片的峰值波长，得到高折射率材料层的待涂覆厚度。

5.如权利要求1所述的出光控制方法，其特征在于，所述将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层的步骤之前，还包括：

在蓝宝石衬底上依次外延生长Gan缓冲层、N-GaN层、MQW量子阱层、P-GaN层、ITO层和电极层；

采用CL2/BCL3的混合气体对所述Gan缓冲层、所述N-GaN层、所述MQW量子阱层、所述P-GaN层、所述ITO层和所述电极层进行刻蚀，得到所有所述单胞芯片的外延层；

将低折射率材料涂覆于所述蓝宝石衬底上和所述外延层上，形成低折射率材料层，并得到所述高压LED芯片。

6.如权利要求1至5中任一项所述的出光控制方法，其特征在于，所述高压LED芯片包括多个单胞芯片，所述单胞芯片包括外延层以及设置在所述外延层上的低折射率材料层。

7.如权利要求6所述的出光控制方法，其特征在于，所述单胞芯片还包括蓝宝石衬底，所述外延层包括Gan缓冲层、N-GaN层、MQW量子阱层、P-GaN层、ITO层和电极层，其中，所述Gan缓冲层、所述N-GaN层、所述MQW量子阱层、所述P-GaN层和所述ITO层依次外延生长在所述蓝宝石衬底上，且所述电极层分别设置在所述ITO层和所述N-GaN层上。

8.如权利要求7所述的出光控制方法，其特征在于，所述电极层包括N电极和P电极，且在两个任意相邻的所述单胞芯片中的其中一个所述单胞芯片中的所述N电极与另一个所述单胞芯片中的所述P电极相连接。

9.如权利要求8所述的出光控制方法，其特征在于，所述低折射率材料为SIO₂，所述高折射率材料为TiO₂。

10.一种出光控制设备，其特征在于，所述出光控制设备应用于权利要求1至9中任一项所述的出光控制方法，所述出光控制设备包括高压LED芯片以及涂覆于所述高压LED芯片之上的高折射率材料层，其中，所述高折射率材料层与所述高压LED芯片中的低折射率材料层形成反射型增强膜系。