[发明专利]封装基板的制备方法

权利要求书

1.一种封装基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1)提供一芯板结构；

S2)判断当前图形电镀工序CAM资料中待镀掩膜图形的残铜率，并在所述残铜率小于设定值时，于所述待镀掩膜图形中的空旷区域增设辅助镀铜区以得到更新的待镀掩膜图形，同时，基于所述辅助镀铜区增设辅助刻蚀掩膜图形，其中，所述辅助镀铜区与覆铜区之间存在一定间隙，所述间隙的尺寸大于等于制程关键尺寸；

S3)于所述芯板结构的至少一个表面形成第一光刻胶层，采用曝光、显影工艺将所述更新的待镀掩膜图形转移至所述第一光刻胶层中以形成第一掩膜层，其中，所述第一掩膜层的开口区域包括所述辅助镀铜区及所述覆铜区；

S4)基于所述第一掩膜层进行电镀形成电镀金属层，并去除所述第一掩膜层，其中，所述电镀金属层形成于所述覆铜区的部分为主铜，形成于所述辅助镀铜区的部分为辅助铜；S5)于所述电镀金属层的表面形成第二光刻胶层，采用曝光、显影工艺将所述辅助刻蚀掩膜图形转移至所述第二光刻胶层中以形成第二掩膜层，其中，所述第二掩膜层的开口至少暴露出所述辅助铜；

S6)基于所述第二掩膜层刻蚀去除所述辅助铜，并去除所述第二掩膜层。

2.根据权利要求1所述的封装基板的制备方法，其特征在于，S2)于S1)之前执行。

3.根据权利要求1或2所述的封装基板的制备方法，其特征在于，至少一次重复执行S1)～S6)。

4.根据权利要求3所述的封装基板的制备方法，其特征在于，每次执行完S6)后，还包括：执行AOI检查的步骤。

5.根据权利要求1所述的封装基板的制备方法，其特征在于，所述芯板结构包括芯板、形成于所述芯板至少一个表面的层压介电层、形成于所述层压介电层表面的层压金属层及形成于所述层压金属层表面的金属种子层；其中，所述层压介电层中至少形成有互联孔。

6.根据权利要求5所述的封装基板的制备方法，其特征在于，所述芯板包括：芯板介电层、形成于所述芯板介电层相对两表面的图形化芯板互联层及贯穿所述芯板介电层及所述图形化芯板互联层的芯板层通孔。

7.根据权利要求5所述的封装基板的制备方法，其特征在于，在去除所述第二掩膜层的步骤后，还包括执行闪蚀工艺的步骤。

8.根据权利要求1所述的封装基板的制备方法，其特征在于，使用垂直连续电镀线设备电镀形成所述电镀金属层，其中，电流密度介于0.1ASD～10ASD。

9.根据权利要求1所述的封装基板的制备方法，其特征在于，采用真空贴膜机贴干膜形成所述第二光刻胶层。