[发明专利]一种提升单元驱动解决物理设计天线效应的方法

说明书

本发明公开了一种提升单元驱动解决物理设计天线效应的方法，包括以下步骤：查询工艺节点的天线效应规则及天线比率；按顺序将工艺节点中的所有缓冲器BUF进行编号，并计算其栅氧化层的面积，然后计算出缓冲器BUF栅氧化层的面积比值；选择违反天线效应的一个工艺节点作为路径，计算出倍数关系N；基于计算出的倍数关系N，对此违反天线效应的路径中的缓冲器BUF进行分析，选择需要替换的缓冲器BUF；将需要替换的缓冲器BUF替换成相应的缓冲器BUF；进行天线效应规则检查，确认是否修复天线违例。本发明单次就能完成该节点的天线效应检查和修改，大幅度压缩检查集成电路的天线效应时所耗费的时间，以使得整个电路设计流程更有效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种提升单元驱动解决物理设计天线效应的方法。

背景技术

在超深亚微米集成电路加工工艺中，通常使用一种基于等离子技术的离子刻蚀工艺，此种技术能够满足随着尺寸不断缩小，掩模刻蚀分辨率不断提高的要求。但在刻蚀过程中，会产生游离电荷，当刻蚀导体金属或者多晶硅的时候，裸露的导体表面就会收集游离电荷，所积累电荷的多少与其暴露在等离子束下的导体面积成正比。如果积累了电荷的导体直接连接到器件的栅极上，就会在多晶硅栅下的薄氧化层形成隧穿电流进而泄放电荷。当积累的电荷超过一定数量时，这种电流就会损伤栅氧化层，从而使器件甚至整个芯片的可靠性和寿命严重地降低。在芯片的生产过程中，暴露的金属线或者多晶硅等导体，就像一根根天线，会收集电荷，如等离子刻蚀产生的带电粒子，导致电位升高。天线越长，收集的电荷也就越多，电压就越高，高电压就可能把薄栅氧化层击穿，使电路失效，这种现象称之为天线效应。

天线效应规则及天线比率由晶圆厂商提供，一般用构成天线的金属层的面积与所相连的栅氧化层面积的比率来定义，天线比率来衡量一颗芯片能发生天线效应的几率。常见的版图上预防天线效应的方法有跳线法和添加天线器件法，最高层金属有天线效应时，向下跳线不能解决，跳线法就不能解决；添加天线器件法，需要改动的地方很多，而且它只能提高一定的阈值，并不能确保完全解决天线效应。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种设计周期短、优化效率高的提升单元驱动解决物理设计天线效应的方法。

本发明解决上述问题的技术方案是：一种提升单元驱动解决物理设计天线效应的方法，包括以下步骤：

步骤S1：根据不同的工艺节点，查询相关工艺节点的天线效应规则及天线比率R；

步骤S2：在相关工艺节点项目中，计算每个工艺节点中的所有缓冲器BUF栅氧化层的面积，并按面积小到大的顺序将每个工艺节点中的所有缓冲器BUF进行编号，然后计算出设定间隔号序的两个缓冲器BUF栅氧化层的面积比值；

步骤S3：在设计规则检查工具calibre中进行天线效应规则检查，在布局布线工具innovus中先选择违反天线效应的一个工艺节点作为路径，然后计算出违反天线效应的金属层侧面积S1，根据该路径实际天线比率R，得出消除天线效应的最小栅氧化层面积S2，然后将该路径中产生天线效应的缓冲器BUF栅氧化层的面积作为S3，最后计算出S2和S3的倍数关系N；

步骤S4：基于计算出的倍数关系N，对此违反天线效应的路径中的缓冲器BUF进行分析，选择需要替换的缓冲器BUF；

步骤S5：在布局布线工具innovus中将需要替换的缓冲器BUF替换成相应的缓冲器BUF；

步骤S6：在设计规则检查工具calibre中进行天线效应规则检查，如果工具生成的报告中没有此条路径天线效应违反，则确定修复天线违例，反之，则没有修复。

上述提升单元驱动解决物理设计天线效应的方法，所述步骤S2具体过程为：

(2-1)计算工艺节点中的所有缓冲器BUF栅氧化层的面积，按照面积递增依次用A₁，A₂，…A_m表示，m＝1,2,…M；