[发明专利]一种提升单元驱动解决物理设计天线效应的方法

权利要求书

1.一种提升单元驱动解决物理设计天线效应的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：根据不同的工艺节点，查询相关工艺节点的天线效应规则及天线比率R；

步骤S2：在相关工艺节点项目中，计算每个工艺节点中的所有缓冲器BUF栅氧化层的面积，并按面积从小到大的顺序将每个工艺节点中的所有缓冲器BUF进行编号，然后计算出设定间隔号序的两个缓冲器BUF栅氧化层的面积比值；

步骤S3：在设计规则检查工具calibre中进行天线效应规则检查，在布局布线工具innovus中先选择违反天线效应的一个工艺节点作为路径，然后计算出违反天线效应的金属层侧面积S1，根据该路径实际天线比率R，得出消除天线效应的最小栅氧化层面积S2，然后将该路径中产生天线效应的缓冲器BUF栅氧化层的面积作为S3，最后计算出S2和S3的倍数关系N；

步骤S4：基于计算出的倍数关系N，对此违反天线效应的路径中的缓冲器BUF进行分析，选择需要替换的缓冲器BUF；

步骤S5：在布局布线工具innovus中将需要替换的缓冲器BUF替换成相应的缓冲器BUF；

步骤S6：在设计规则检查工具calibre中进行天线效应规则检查，如果工具生成的报告中没有此条路径天线效应违反，则确定修复天线违例，反之，则没有修复。

2.根据权利要求1所述的提升单元驱动解决物理设计天线效应的方法，其特征在于，所述步骤S2具体过程为：

(2-1)计算工艺节点中的所有缓冲器BUF栅氧化层的面积，按照面积递增依次用A₁，A₂，…A_m表示，m＝1,2,…M；

(2-2)将工艺节点中的所有缓冲器BUF按照面积递增进行编号，BUF_X₁，BUF_X₂，…BUF_X_m，m＝1,2,…M，M为缓冲器的总数量；

(2-3)令设定间隔号序为P，P＝1,2...M-1，则缓冲器BUF_X_Q+P与缓冲器BUF_X_Q的面积比值集合n＝A_Q+P/A_Q，Q＝1,2,…M-1且P+Q≤M，面积比值集合n中的元素ni的数量为M(M-1)/2。

3.根据权利要求2所述的提升单元驱动解决物理设计天线效应的方法，其特征在于，所述步骤S3中，金属层侧面积S1的计算公式为：S1＝2*(W+L)*H，其中S1是金属层侧面积，W是金属层宽度，L是金属层长度，H是金属层厚度。

4.根据权利要求3所述的提升单元驱动解决物理设计天线效应的方法，其特征在于，所述步骤S3中，消除天线效应的最小栅氧化层面积S2的计算公式为：S2＝S1/R。

5.根据权利要求3所述的提升单元驱动解决物理设计天线效应的方法，其特征在于，所述步骤S4中，首先设定违反天线效应的路径中产生天线效应的缓冲器BUF为BUF_X_j，j＝1,2,…M，对应的栅氧化层的面积为A_j，然后从面积比值集合n中依次选出A_j+1，A_j+2…，A_M与A_j的面积比值，然后将所得的所有面积比值与倍数关系N进行比较，当首个面积比值大于N时，此面积比值对应的缓冲器即为替换BUF_X_j缓冲器。

6.根据权利要求3所述的提升单元驱动解决物理设计天线效应的方法，其特征在于，有多个工艺节点违反天线效应规则时，同时选择几个节点按步骤S2至S6同时进行修改。