[发明专利]低成本、高分散、高孔隙和高纯超细三氧化钼的制备方法

权利要求书

1.低成本、高分散、高孔隙和高纯超细三氧化钼的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一、将高活性位点无定型裂解碳和钼前驱体混合均匀，得到钼前驱体和高活性无定型碳混合物；

步骤二、将步骤一中得到的钼前驱体和高活性无定型碳混合物进行超高速搅拌处理，得到高孔隙结构的钼前驱体和高活性无定型碳混合物；

步骤三、将步骤二中得到的高孔隙结构的钼前驱体和高活性无定型碳混合物在惰性气氛下进行热处理，得到高孔隙结构的超细二氧化钼纳米复合粉；

步骤四、将步骤三中得到的高孔隙结构的超细二氧化钼纳米复合粉放置于含氧气体中进行拓扑氧化焙烧，得到高分散、高孔隙和高纯超细三氧化钼；所述三氧化钼的平均粒度小于500nm，松装密度小于1g/cm³，孔隙率大于80%，质量纯度大于99.9%。

2.根据权利要求1所述的低成本、高分散、高孔隙和高纯超细三氧化钼的制备方法，其特征在于，步骤一中所述高活性位点无定型裂解碳具有非晶和微晶结构，比表面积大于20m²/g，由含碳气体、液体或固体裂解生成；所述钼前驱体为钼酸铵或三氧化钼，质量纯度大于99.5%；所述高活性位点无定型裂解碳中碳元素的质量为钼前驱体中钼元素质量的4%~9%。

3.根据权利要求1所述的低成本、高分散、高孔隙和高纯超细三氧化钼的制备方法，其特征在于，步骤一中所述混合均匀的方式为机械搅拌、球磨或液相混合干燥，所述钼前驱体和高活性无定型碳混合物具有微纳复合结构。

4.根据权利要求1所述的低成本、高分散、高孔隙和高纯超细三氧化钼的制备方法，其特征在于，步骤二中所述超高速搅拌处理的转速大于5000转/min，时间大于50s，且高孔隙结构的钼前驱体和高活性无定型碳混合物的孔隙率大于80%。

5.根据权利要求1所述的低成本、高分散、高孔隙和高纯超细三氧化钼的制备方法，其特征在于，步骤三中所述热处理的温度为400℃~650℃，时间大于30min；所述高孔隙结构的超细二氧化钼纳米复合粉中的二氧化钼质量含量大于80%，松装孔隙率大于80%，平均粒径小于500nm。

6.根据权利要求1所述的低成本、高分散、高孔隙和高纯超细三氧化钼的制备方法，其特征在于，步骤四中所述拓扑氧化焙烧的温度为400℃~600℃，时间大于30min，采用气氛为空气或氧气。