[发明专利]一种丽花石山苣苔的组织培养方法

权利要求书

1.一种丽花石山苣苔的组织培养方法，其特征在于，包括如下步骤：1)诱导不定芽培养，2)继代增殖培养，3)生根培养，4)炼苗移栽；

所述步骤1)的诱导不定芽培养基为：MS基础培养基、1～2mg/L TDZ、0.1～0.5mg/L KT、0.05～0.2mg/L NAA、15～30g/L蔗糖、3.5～6.0g/L琼脂，pH为5.4～5.8；

所述步骤2)继代增殖培养基为：MS基础培养基、0.1～1mg/L 6-BA、0.05～0.1mg/LNAA、15～30g/L蔗糖、3.5～6g/L琼脂，pH为5.4～5.8；

所述步骤3)生根培养基为：1/2MS基础培养基、0.05～0.2mg/L IBA、1.0～2.0mg/LGGR、15～30g/L蔗糖、3.5～6g/L琼脂，pH为5.4～5.8。

2.根据权利要求1所述一种丽花石山苣苔的组织培养方法，其特征在于，所述步骤1)的诱导不定芽培养基为：MS基础培养基、1.2～1.8mg/L TDZ、0.2～0.4mg/L KT、0.1～0.15mg/L NAA、20～25g/L蔗糖、4～5g/L琼脂，pH为5.4～5.8；

所述步骤2)继代增殖培养基为：MS基础培养基、0.2～0.8mg/L 6-BA、0.07～0.08mg/LNAA、20～25g/L蔗糖、4～5g/L琼脂，pH为5.4～5.8；

所述步骤3)生根培养基为：1/2MS基础培养基、0.1～0.15mg/L IBA、1.2～1.8mg/LGGR、20～25g/L蔗糖、4～5g/L琼脂，pH为5.4～5.8。

3.根据权利要求1所述一种丽花石山苣苔的组织培养方法，其特征在于，所述步骤1)的诱导不定芽培养基为：MS基础培养基、1mg/L TDZ、0.3mg/L KT、0.1mg/L NAA、25g/L蔗糖、5g/L琼脂，pH为5.5；

所述步骤2)继代增殖培养基为：MS基础培养基、1mg/L 6-BA、0.05mg/L NAA、25g/L蔗糖、4g/L琼脂，pH为5.5；

所述步骤3)生根培养基为：1/2MS基础培养基、0.1mg/L IBA、1.0mg/L GGR、15g/L蔗糖、5g/L琼脂，pH为5.5。

4.根据权利要求1所述一种丽花石山苣苔的组织培养方法，其特征在于，所述步骤1)的诱导不定芽培养基为：MS基础培养基、2mg/L TDZ、0.1mg/L KT、0.05mg/L NAA、30g/L蔗糖、4.0g/L琼脂，pH为5.5；

所述步骤2)继代增殖培养基为：MS基础培养基、1mg/L 6-BA、0.05mg/L NAA、25g/L蔗糖、4.5g/L琼脂，pH为5.8；

所述步骤3)生根培养基为：1/2MS基础培养基、0.05mg/L IBA、2mg/L GGR、18g/L蔗糖、5g/L琼脂，pH为5.8。

5.根据权利要求1所述一种丽花石山苣苔的组织培养方法，其特征在于，所述步骤1)的诱导不定芽培养基为：MS基础培养基、1.5mg/L TDZ、0.5mg/L KT、0.2mg/L NAA、30g/L蔗糖、4g/L琼脂，pH为5.8；

所述步骤2)继代增殖培养基为：MS基础培养基、0.5mg/L 6-BA、0.1mg/L NAA、25g/L蔗糖、5g/L琼脂，pH为5.8；

所述步骤3)生根培养基为：1/2MS基础培养基、0.1mg/L IBA、1.0mg/L GGR、20g/L蔗糖、6g/L琼脂，pH为5.8。

6.根据权利要求1至5任一项所述一种丽花石山苣苔的组织培养方法，其特征在于，所述步骤1)诱导不定芽培养具体为：选取继代无菌苗的叶柄为外植体，用解剖刀在叶柄上轻轻划2-4刀增加伤口，接种到诱导不定芽培养基上，于25～28℃条件下全暗培养4天，再转移至光照强度为1500～2000lx，培养温度为25～28℃的条件下，每天光照12小时，直至诱导形成不定芽为止。