[发明专利]一种半导体材料加工用切割胶带

说明书

本发明公开了一种半导体材料加工用切割胶带，包括基材层以及涂覆在所述基材层两侧的第一胶黏剂层和第二胶黏剂层，所述第一胶黏剂层和第二胶黏剂层所采用的胶黏剂选自A胶或B胶，A胶为UV型油性聚丙烯酸酯，B胶为非UV的油性聚丙烯酸酯，两者的剥离力均较低，涂有A胶的一侧面经UV照射后剥离力下降明显，便于剥离，且不会出现残胶。

技术领域

本发明涉及胶带技术领域，具体涉及一种半导体材料加工用切割胶带。

背景技术

芯片切割、封装是整个半导体行业的基础，随着信息产业的飞速发展，应用于半导体行业的各种保护膜层出不穷，既有用于支撑的非UV保护膜，也有专门用于切割后解UV的减粘膜。

但是随着半导体行业的飞速发展，单一胶面的保护膜已不能满足更多制程的要求。此时双面胶膜就脱颖而出了，但目前国内双面胶基本还是以非UV为主，基材也多选择泡棉、PET或带有硅油等离型剂的纸、布等材质。专门针对芯片行业的一面非UV，一面UV减粘的双面胶几乎没有。如何解决上述技术问题，制备一面做承载，一面用于切割后解UV的双面胶是本领域技术人员研究的方向。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种半导体材料加工用切割胶带。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种半导体材料加工用切割胶带，包括基材层以及涂覆在所述基材层两侧的第一胶黏剂层和第二胶黏剂层，所述第一胶黏剂层和第二胶黏剂层所采用的胶黏剂选自A胶或B胶，其中：

A胶，按照重量份数计包括以下组分：丙烯酸异辛酯50-80份、丙烯酸羟乙酯2-7份、邻苯基苯氧乙基丙烯酸酯0-5份、乙氧基乙氧基丙烯酸酯0-5份、环三羟甲基丙烷甲缩醛丙烯酸酯0-5份、引发剂Ⅰ0.3-1份、溶剂100份、多官能团高分子树脂10-30份，其中多官能团高分子树脂选自二季戊四醇六丙烯酸酯、2摩尔己内酯改质双季戊四醇六丙烯酸酯、6摩尔己内酯改质双季戊四醇六丙烯酸酯中的至少一种；

B胶，按照重量份数计包括以下组分：丙烯酸正丁酯50-75份、丙烯酸异辛酯10-25份、丙烯酸羟乙酯1-5份、丙烯酸1-3份、冰片酯0-2份、引发剂Ⅱ0.3-1份、溶剂100份；

所述引发剂Ⅰ和引发剂Ⅱ均采用了偶氮类引发剂或过氧化物引发剂。

作为一种具体的实施方式，所述A胶的制备方法如下：按照重量份数将丙烯酸异辛酯、丙烯酸羟乙酯、邻苯基苯氧乙基丙烯酸酯、乙氧基乙氧基丙烯酸酯、环三羟甲基丙烷甲缩醛丙烯酸酯、引发剂Ⅰ及溶剂投加到反应釜中，加热至78-82℃，反应6-10h，而后降温至55℃±1℃，再混合多官能团高分子树脂搅匀后下料即可；B胶的制备方法如下：按照重量份数丙烯酸正丁酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸羟乙酯、丙烯酸、冰片酯、引发剂Ⅱ及溶剂投入到反应釜中，加热至78-82℃，反应6-10h，而后降温至55℃±1℃下料即可。

作为一种具体的实施方式，所述基材层采用了25μm的双面PET基材。

作为一种具体的实施方式，所述A胶按照重量份数计包括以下组分：丙烯酸异辛酯70-75份、丙烯酸羟乙酯3-5份、邻苯基苯氧乙基丙烯酸酯0-5份、乙氧基乙氧基丙烯酸酯0-5份、环三羟甲基丙烷甲缩醛丙烯酸酯0-5份、引发剂Ⅰ0.4-0.5份、溶剂100份、多官能团高分子树脂15-25份，其中邻苯基苯氧乙基丙烯酸酯、乙氧基乙氧基丙烯酸酯、环三羟甲基丙烷甲缩醛丙烯酸酯三者的投加量之和为3-8份。

作为一种具体的实施方式，所述2摩尔己内酯改质双季戊四醇六丙烯酸酯购自长兴材料工业股份有限公司生产的型号为EM2692的丙烯酸酯；6摩尔己内酯改质双季戊四醇六丙烯酸酯购自长兴材料工业股份有限公司生产的型号为EM2696的丙烯酸酯。

作为一种具体的实施方式，所述切割胶带包括基材层，所述基材层的一侧面涂布A胶，另一侧面涂布B胶，具体步骤如下：