[发明专利]一种半导体材料加工用切割胶带

权利要求书

1.一种半导体材料加工用切割胶带，包括基材层以及涂覆在所述基材层两侧的第一胶黏剂层和第二胶黏剂层，其特征在于，所述第一胶黏剂层和第二胶黏剂层中一层所采用的胶黏剂为A胶，另一层所采用的胶黏剂为B胶，其中：

A胶，按照重量份数计包括以下组分：丙烯酸异辛酯50-80份、丙烯酸羟乙酯2-7份、邻苯基苯氧乙基丙烯酸酯0-5份、乙氧基乙氧基乙基丙烯酸酯0-5份、环三羟甲基丙烷甲缩醛丙烯酸酯0-5份、多官能团高分子树脂10-30份、引发剂Ⅰ0.3-1份、溶剂100份，其中多官能团高分子树脂选自二季戊四醇六丙烯酸酯、2摩尔己内酯改质双季戊四醇六丙烯酸酯、6摩尔己内酯改质双季戊四醇六丙烯酸酯中的至少一种, 所述2摩尔己内酯改质双季戊四醇六丙烯酸酯购自长兴材料工业股份有限公司生产的型号为EM2692的丙烯酸酯；6摩尔己内酯改质双季戊四醇六丙烯酸酯购自长兴材料工业股份有限公司生产的型号为EM2696的丙烯酸酯；

B胶，按照重量份数计包括以下组分：丙烯酸正丁酯50-75份、丙烯酸异辛酯10-25份、丙烯酸羟乙酯1-5份、丙烯酸1-3份、甲基丙烯酸异冰片酯0-2份、引发剂Ⅱ0.3-1份、溶剂100份；

所述引发剂Ⅰ和引发剂Ⅱ均采用了偶氮类引发剂或过氧化物引发剂。

2.根据权利要求1所述的半导体材料加工用切割胶带，其特征在于，所述A胶的制备方法如下：按照重量份数将丙烯酸异辛酯、丙烯酸羟乙酯、邻苯基苯氧乙基丙烯酸酯、乙氧基乙氧基乙基丙烯酸酯、环三羟甲基丙烷甲缩醛丙烯酸酯、引发剂Ⅰ及溶剂投加到反应釜中，加热至78-82℃，反应6-10h，而后降温至55℃±1℃下料，再加入多官能团高分子树脂即可；B胶的制备方法如下：按照重量份数丙烯酸正丁酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸羟乙酯、丙烯酸、甲基丙烯酸异冰片酯、引发剂Ⅱ及溶剂投入到反应釜中，加热至78-82℃，反应6-10h，而后降温至55℃±1℃下料即可。

3.根据权利要求1所述的半导体材料加工用切割胶带，其特征在于，所述基材层采用了25μm的双面PET基材。

4.根据权利要求1所述的半导体材料加工用切割胶带，其特征在于，所述A胶按照重量份数计包括以下组分：丙烯酸异辛酯70-75份、丙烯酸羟乙酯3-5份、邻苯基苯氧乙基丙烯酸酯0-5份、乙氧基乙氧基乙基丙烯酸酯0-5份、环三羟甲基丙烷甲缩醛丙烯酸酯0-5份、多官能团高分子树脂15-25份、引发剂Ⅰ0.4-0.5份、溶剂100份，其中邻苯基苯氧乙基丙烯酸酯、乙氧基乙氧基乙基丙烯酸酯、环三羟甲基丙烷甲缩醛丙烯酸酯三者的投加量之和为3-8份。

5.根据权利要求2所述的半导体材料加工用切割胶带，其特征在于，所述切割胶带包括基材层，所述基材层的一侧面涂布A胶，另一侧面涂布B胶，具体步骤如下：

1）A胶处理：取100份A胶，依次加入光引发剂、交联剂后加入溶剂进行稀释，配置成25%固含量的胶水，搅拌混合均匀，静置消泡；

2）B胶处理：取100份B胶，加入交联剂混合后加入溶剂进行稀释，配成25%固含量的胶水，待溶解完全后搅拌均匀；静置消泡；

3）涂布，采用刮刀式涂布，先在基材层的一面涂布经步骤2）处理的B胶并用轻离型膜覆膜，后再在重离型膜上涂布经步骤1）处理的A胶，并将胶面转到基材的另一面上。

6.根据权利要求5所述的半导体材料加工用切割胶带，其特征在于，步骤1）所采用的光引发剂选自光引发剂184、光引发剂TPO、光引发剂1173中的一种或多种。