[发明专利]半导体封装及其制造方法在审
| 申请号: | 202211125524.4 | 申请日: | 2022-09-14 |
| 公开(公告)号: | CN115810549A | 公开(公告)日: | 2023-03-17 |
| 发明(设计)人: | 李周炯;权洞煜;金宣澈;金龙炫;李玟在 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/67 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴晓兵;倪斌 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
一种制造半导体封装的方法,包括将初级半导体封装设置在台上,初级半导体封装包括附接有焊盘部分的衬底、设置在衬底上的中介层、以及设置在衬底和中介层之间的半导体芯片。接合工具设置在中介层上。接合工具包括第一区域和第一区域之外的第二区域。接合工具的第二区域对应于焊盘部分。中介层和衬底彼此接合。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年9月14日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2021-0122279的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本公开涉及半导体,并且更具体地,涉及一种半导体封装及其制造方法。
背景技术
电子组件越来越小型化。根据这种趋势,可以使用将若干半导体芯片堆叠和安装在一个封装布线结构上或将封装堆叠在封装上的方法。在这种情况下,可以使用中介层以建立上封装和下封装之间的电连接。此外,中介层可以防止上封装和下封装的翘曲。
为了将中介层连接到下封装,可以使用接合工具以热压缩方式通过热压缩(TC)接合将焊料接合在中介层和下封装之间。
通常,在制造这样的半导体封装中,铜芯球可以用于连接和支撑中介层和下封装。在这种情况下,使用单独的工艺将铜芯球和焊料附接到中介层,并且因此,工艺步骤的数量增加。另外,热压缩可能导致铜球中出现裂纹。
发明内容
一种制造半导体封装的方法,包括将初级半导体封装设置在台上。初级半导体封装包括附接有焊盘部分的衬底。中介层设置在衬底上。半导体芯片设置在衬底和中介层之间。接合工具设置在中介层上。接合工具包括在其面对中介层的第一表面上的第一区域和第一区域之外的第二区域。接合工具的第二区域设置为对应于焊盘部分。中介层和衬底彼此接合。
制造半导体封装的方法包括将初级半导体封装设置在台上。初级半导体封装包括具有形成在其中的凹部的衬底。中介层设置在衬底上。半导体芯片设置在衬底和中介层之间。接合工具设置在中介层上。接合工具包括在其面对中介层的第一表面上的第一区域和第一区域之外的第二区域。接合工具的第二区域设置为对应于凹部。中介层和衬底彼此接合。
半导体衬底接合设备包括装载有初级半导体封装的台。初级半导体封装包括附接有焊盘部分的衬底。中介层设置在衬底上。半导体芯片设置在衬底和中介层之间。接合工具设置在台上。接合工具包括在其面对中介层的第一表面上的第一区域和第一区域之外的第二区域。突出部分从第一表面上的第二区域突出。突出部分与接合工具的外周表面间隔开。
半导体衬底接合设备包括装载有初级半导体封装的台。初级半导体封装包括附接有焊盘部分的衬底。中介层设置在衬底上。半导体芯片设置在衬底和中介层之间。接合工具设置在台上。接合工具沿彼此相交的第一方向和第二方向延伸。第一区域和第一区域之外的第二区域设置在接合工具面对中介层的第一表面上。接合工具包括形成在第二区域中并在第一方向上彼此面对的一对第一突出部分以及形成在第二区域中并在第二方向上彼此面对的一对第二突出部分。一对第一突出部分的高度和一对第二突出部分的高度彼此不同。
半导体封装包括衬底,该衬底具有暴露其至少一个侧表面并形成在其边缘处的凹部,并且包括设置在凹部中的焊盘部分以及与焊盘部分间隔开的第一布线层。中介层设置在衬底上,并且包括第二布线层。半导体芯片设置在衬底和中介层之间。连接构件将衬底和中介层彼此电连接。
附图说明
通过参考附图详细描述本公开的实施例,本公开的以上和其他方面和特征将变得被更清楚,在附图中:
图1是示出了根据本公开的实施例的用于制造半导体封装的半导体衬底接合设备的截面示意图;
图2是示出了根据本公开的实施例的构成半导体衬底接合设备的接合单元和构成半导体封装的衬底之间的位置关系的透视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





