[发明专利]半导体封装及其制造方法在审
申请号: | 202211125524.4 | 申请日: | 2022-09-14 |
公开(公告)号: | CN115810549A | 公开(公告)日: | 2023-03-17 |
发明(设计)人: | 李周炯;权洞煜;金宣澈;金龙炫;李玟在 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/67 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴晓兵;倪斌 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体封装的方法,包括:
将初级半导体封装设置在台上,所述初级半导体封装包括附接有焊盘部分的衬底、设置在所述衬底上的中介层、以及设置在所述衬底和所述中介层之间的半导体芯片;
将接合工具设置在所述中介层上,所述接合工具包括第一区域和所述第一区域之外的第二区域;以及
将所述接合工具的所述第二区域设置为对应于所述焊盘部分,并且将所述中介层和所述衬底彼此接合。
2.根据权利要求1所述的制造半导体封装的方法,其中,所述接合工具还包括突出部分,所述突出部分形成在所述第二区域中,并且从所述接合工具突出,并且
其中,所述突出部分与所述焊盘部分接触。
3.根据权利要求1所述的制造半导体封装的方法,其中,所述接合工具还包括穿过所述接合工具的多个孔,并且
其中,所述接合工具通过所述多个孔吸附所述中介层。
4.根据权利要求1所述的制造半导体封装的方法,其中,暴露所述衬底的内表面的至少一部分的凹部形成在所述衬底的边缘处,并且
其中,所述焊盘部分设置在所述凹部内。
5.根据权利要求1所述的制造半导体封装的方法,其中,所述焊盘部分包括至少一个弯曲部分。
6.根据权利要求1所述的制造半导体封装的方法,其中,所述焊盘部分形成为200μm或更小的厚度。
7.根据权利要求1所述的制造半导体封装的方法,其中,所述焊盘部分包括金属材料。
8.根据权利要求2所述的制造半导体封装的方法,其中,所述突出部分的厚度与所述衬底的表面和所述接合工具的表面之间的距离相同。
9.根据权利要求2所述的制造半导体封装的方法,其中,所述接合工具沿第一方向和与所述第一方向相交的第二方向中的每个方向延伸,
其中,所述突出部分包括在所述第一方向上彼此面对的一对第一突出部分以及在所述第二方向上彼此面对的一对第二突出部分,并且
其中,所述一对第一突出部分具有彼此相同的高度,并且所述一对第二突出部分具有彼此相同的高度。
10.根据权利要求9所述的制造半导体封装的方法,其中,相对于所述第一方向,所述一对第一突出部分与所述接合工具的外周表面间隔开。
11.根据权利要求9所述的制造半导体封装的方法,其中,所述焊盘部分包括在所述第一方向上彼此面对的一对第一焊盘部分以及在所述第二方向上彼此面对的一对第二焊盘部分,并且
其中,所述一对第一焊盘部分对应于所述一对第一突出部分,并且所述一对第二焊盘部分对应于所述一对第二突出部分。
12.根据权利要求11所述的制造半导体封装的方法,其中,所述一对第一焊盘部分具有与所述一对第二焊盘部分的高度不同的高度。
13.一种制造半导体封装的方法,包括:
将初级半导体封装设置在台上,所述初级半导体封装包括其中形成有凹部的衬底、设置在所述衬底上的中介层、以及设置在所述衬底和所述中介层之间的半导体芯片;
将接合工具设置在所述中介层上,所述接合工具包括第一区域和所述第一区域之外的第二区域;以及
将所述接合工具的所述第二区域设置为对应于所述凹部,并且将所述中介层和所述衬底彼此接合。
14.根据权利要求13所述的制造半导体封装的方法,其中,所述接合工具还包括突出部分,所述突出部分从所述接合工具突出,并且设置为至少部分地围绕所述第一区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造