[发明专利]一种太赫兹波导功率合成器在审
| 申请号： | 202211094918.8 | 申请日： | 2022-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN115411482A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 成海峰;朱翔;喻先卫;李涛 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01P5/12 | 分类号： | H01P5/12 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 波导 功率 合成器 | ||
1.一种太赫兹波导功率合成器，其特征在于，包括：
主路波导、第一支路波导和第二支路波导；
所述主路波导包括第一段、第二段和第三段，所述主路波导的第一段为输出端口；
所述第一支路波导包括第一段和第二段；所述第二支路波导包括第一段和第二段；所述第一支路波导的第一段和所述第二支路波导的第一段为输入端口；
所述主路波导的第三段、第一支路波导的第二段和第二支路波导的第二段相交于一处；
所述主路波导的宽度由第一段向第三段的方向逐段增大；
所述第一支路波导的第二段相对第一段呈90度拐弯，所述第二支路波导的第二段相对第一段呈90度拐弯。
2.根据权利要求1所述的太赫兹波导功率合成器，其特征在于，所述主路波导的两侧皆呈阶梯状，且沿所述主路波导的第一段向第三段的方向波导宽度逐级增大；
所述第一支路波导的第一段、第一支路波导的第二段、第二支路波导的第一段和第二支路波导的第二段的波导宽度相等；
所述主路波导的第三段的波导宽度大于第一支路波导的第二段和第二支路波导的第二段的波导宽度之和。
3.根据权利要求1所述的太赫兹波导功率合成器，其特征在于，所述主路波导、第一支路波导和第二支路波导设置在合成器外壳内。
4.根据权利要求1所述的太赫兹波导功率合成器，其特征在于，合成器外壳为金属材料。
5.根据权利要求1所述的太赫兹波导功率合成器，其特征在于，合成器外壳为表面金属化的硅材料。
6.根据权利要求1所述的太赫兹波导功率合成器，其特征在于，合成器外壳为表面金属化的陶瓷材料。
7.根据权利要求1所述的太赫兹波导功率合成器，其特征在于，合成器外壳为表面金属化的有机材料。
8.根据权利要求1所述的太赫兹波导功率合成器，其特征在于，所述主路波导的第一段、主路波导的第二段和主路波导的第三段的之间的相交处采用圆角过渡。
9.根据权利要求1所述的太赫兹波导功率合成器，其特征在于，所述第一支路波导的第一段和第二段通过圆弧结构实现90度拐弯；所述第二支路波导的第一段和第二段通过圆弧结构实现90度拐弯。
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