[发明专利]一种用于减少金线莲继代的培养基及金线莲培养方法

说明书

本发明提供了一种用于减少金线莲继代的培养基及金线莲培养方法，旨在解决现有技术中的金线莲生长的延缓方法很难同时兼顾金线莲生长状况健康且生长缓慢的问题。用于减少金线莲继代的培养基，由1/2ms培养基和甘露醇混合而成，甘露醇在混合后的培养基中所占的比例为20‑30g/L。金线莲培养方法，包括：选取无菌金线莲组培苗；分段：从无菌金线莲组培苗的茎部截取上段、中段和下段作为茎段；将茎段作为外植体平铺在培养基上；在培养温度为20‑30℃，光强度为2500～3500lx，光照时间为14h/d的条件下培养。本发明增长了金线莲保存时间，而且金线莲的健康状况明显高于现有的培养基；因在种源保存过程中，培养基配置成本低，且继代次数少，节约了种源保存成本。

技术领域

本发明属于金线莲栽培技术领域，具体涉及一种用于减少金线莲继代的培养基及金线莲培养方法。

背景技术

继代培养是指愈伤组织在培养基上生长一段时间后，因为营养物和水分枯竭等问题，需要将组织转移到新培养基上进行培养；主要用于植物的快速繁殖；但是由于在进行多次组培后，细胞常常因为在培养过程中，分化程度越高，导致细胞的全能性丧失越严重。

有些情况下，为了研究，不仅需要扩大金线莲的规模，而且需要金线莲进行长期的种源保存；但是目前的金线莲的培养方法和培养基容易导致金线莲的生长速度过快，导致很难对金线莲进行长久的保存；虽然专利号为2019102805544的专利提供了一种金线莲种质资源的离体保存方法，虽然该方法对于金线莲的生长速度起到了一定的延缓，但是金线莲的健康状况和延缓时间仍然不是很理想；此外，对比专利中的培养基成分较为复杂且需要自己配置，培养基制作效率较低且较为麻烦。

发明内容

本发明提供了一种用于减少金线莲继代的培养基及金线莲培养方法，旨在解决现有技术中的金线莲生长的延缓方法很难同时兼顾金线莲生长状况健康且生长缓慢的问题。

为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为：

第一方面，本发明提供了一种用于减少金线莲继代的培养基，由1/2ms培养基和甘露醇混合而成，所述甘露醇在混合后的培养基中所占的比例为20-30g/L。

进一步改进的方案：所述甘露醇在混合后的培养基中所占的比例为20g/L。

进一步改进的方案：所述甘露醇在混合后的培养基中所占的比例为30g/L。

基于上述方案，当所述甘露醇所占比例为30g/L时，甘露醇的生长最为健康，且生长最为缓慢。

进一步改进的方案：所述甘露醇在混合后的培养基中所占的比例为25g/L。

进一步改进的方案：所述1/2ms培养基按照质量份数包括950质量份的硝酸钾、85质量份的硝酸二氢钾、220质量份的氯化钙、6.2质量份的硼酸、8.6质量份的硫酸锌、0.025质量份的硫酸铜、27.8质量份的硫酸亚铁、2质量份的甘氨酸、0.5质量份的盐酸吡哆醇、37.5质量份的乙二胺四乙酸二钠、825质量份的硝酸铵、185质量份的硫酸镁、0.83质量份的碘化钾、22.3质量份的钼酸钠、0.025质量份的氯化钴、100质量份的肌醇、0.1质量份的盐酸硫胺素和0.5质量份的烟酸；所述1/2ms培养基pH值为5.7±0.1。

第二方面，本发明提供了一种金线莲培养方法，包括以下步骤：

S1、选取无菌金线莲组培苗；

S2、分段：从无菌金线莲组培苗的茎部截取上段、中段和下段作为茎段；

S3、将茎段作为外植体平铺在第一方面任一方案所述的一种用于减少金线莲继代的培养基上；

S4、在培养温度为20-30℃，光强度为2500～3500lx，光照时间为14h/d的条件下培养。

进一步改进的方案：在步骤2中，所述茎段长度为1.3-1.7cm且均带有节间。