[发明专利]一种用于减少金线莲继代的培养基及金线莲培养方法

权利要求书

1.一种用于减少金线莲继代的培养基，其特征在于，由1/2ms培养基和甘露醇混合而成，所述甘露醇在混合后的培养基中所占的比例为20-30g/L。

2.根据权利要求1所述的一种用于减少金线莲继代的培养基，其特征在于：所述甘露醇在混合后的培养基中所占的比例为20g/L。

3.根据权利要求1所述的一种用于减少金线莲继代的培养基，其特征在于：所述甘露醇在混合后的培养基中所占的比例为30g/L。

4.根据权利要求1所述的一种用于减少金线莲继代的培养基，其特征在于：所述甘露醇在混合后的培养基中所占的比例为25g/L。

5.根据权利要求1所述的一种用于减少金线莲继代的培养基，其特征在于：所述1/2ms培养基按照质量份数包括950质量份的硝酸钾、85质量份的硝酸二氢钾、220质量份的氯化钙、6.2质量份的硼酸、8.6质量份的硫酸锌、0.025质量份的硫酸铜、27.8质量份的硫酸亚铁、2质量份的甘氨酸、0.5质量份的盐酸吡哆醇、37.5质量份的乙二胺四乙酸二钠、825质量份的硝酸铵、185质量份的硫酸镁、0.83质量份的碘化钾、22.3质量份的钼酸钠、0.025质量份的氯化钴、100质量份的肌醇、0.1质量份的盐酸硫胺素和0.5质量份的烟酸；所述1/2ms培养基pH值为5.7±0.1。

6.一种金线莲培养方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、选取无菌金线莲组培苗；

S2、分段：从无菌金线莲组培苗的茎部截取上段、中段和下段作为茎段；

S3、将茎段作为外植体平铺在权利要求1-6任一所述的一种用于减少金线莲继代的培养基上；

S4、在培养温度为20-30℃，光强度为2500～3500lx，光照时间为14h/d的条件下培养。

7.根据权利要求6所述的一种金线莲培养方法，其特征在于，在步骤2中，所述茎段长度为1.3-1.7cm且均带有节间。

8.根据权利要求6所述的一种金线莲培养方法，其特征在于，在步骤S4中，在培养温度为25℃，光强度为3000lx，光照时间为14h/d的条件下培养。