[发明专利]晶圆切割方法及装置、电子设备、存储介质

说明书

本公开涉及晶圆镭射领域，提供一种晶圆切割方法及装置、电子设备、存储介质，方法包括：提供待切割的晶圆，晶圆设置有多个芯片以及位于多个芯片之间设置有测试互连层的切割道；根据晶圆的厚度，确定宽带镭射的宽带镭射深度；根据切割道的宽度，分别确定窄带镭射的多个窄带镭射宽度和宽带镭射的宽带镭射宽度；根据多个窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿切割道的宽度方向镭射切割道形成多个切口，将测试互连层分割为多段子测试互连层；根据宽带镭射宽度和宽带镭射深度，采用预设的第二镭射功率沿切割道的长度方向镭射切割道，完成多个芯片的分割。本公开可提升良品数量、产品良率、产品品质、产品的应力和强度，还可提高产线产能。

技术领域

本公开涉及晶圆镭射技术领域，特别涉及一种晶圆切割方法及装置、电子设备、存储介质。

背景技术

随着半导体工艺要求的逐步提升，芯片的设计要求也越来越高，针对芯片性能的测试要求也在随之提升。现有技术中，在对芯片的性能进行测试时，通常需要将芯片导通，因此，晶圆的切割道上一般会铺设一些介电材料。低介电常数(LOW-K)的介电材料通常又脆又硬，采用刀片切割方式切割晶圆时会导致介电材料断裂甚至延伸，因此，现有技术通常使用镭射技术切割上述晶圆。

现有技术中，晶圆镭射切割技术将集成电路(Integrated Circuit，IC)芯片从晶圆中分离，首先通过三步骤(3pass)切割模式完成晶圆的横向(CH2)切割，之后，晶圆所在的台盘旋转90°，再通过3pass切割模式完成晶圆的纵向(CH1)切割。在3pass切割模式的三个步骤中，第一步在切割道内镭射切割两条细保护槽，即双细线(Dual Narrow)开槽；第二步采用宽束(Wide Beam)镭射在两条细保护槽之间进行宽度开槽，对切割道中的部分金属进行镭射切割；第三步再次采用Wide Beam镭射去除切割道上低介电常数的介电材料层，目的是使切割道上的开槽底部平整性较好，切割深度达到用户需求。

上述3pass切割模式切割介电材料和少量金属的效果通常可以达到用户需求，然而，若切割道上存在大量金属层，对该金属层进行切割时则会存在较多问题。例如，DualNarrow开槽时，镭射功率小，镭射面积少(单点镭射10μm)，热影响较小，而Wide Beam镭射时，镭射面积大，能量高，会使切割道上的金属大量熔化，熔渣发生喷溅，从而导致切割道附近的产品受损，受损的产品还会影响后续的电路通讯，使电路通讯中出现短路、断路等异常状况。

发明内容

本公开旨在至少解决现有技术中存在的问题之一，提供一种晶圆切割方法及装置、电子设备、存储介质。

本公开的一个方面，提供了一种晶圆切割方法，所述晶圆切割方法包括：

提供待切割的晶圆，所述晶圆设置有待分割的多个芯片以及位于所述多个芯片之间的切割道，所述切割道设置有测试互连层；

根据所述晶圆的厚度，确定宽带镭射的宽带镭射深度；以及，根据所述切割道的宽度，分别确定窄带镭射的多个窄带镭射宽度和所述宽带镭射的宽带镭射宽度；

根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口，所述多个切口将所述测试互联层分割为多段子测试互联层；

根据所述宽带镭射宽度和所述宽带镭射深度，采用预设的第二镭射功率沿所述切割道的长度方向镭射所述切割道，完成所述多个芯片的分割。

可选的，所述第一镭射功率组包括不同的多个第一镭射功率；所述根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口，包括：

分别对每个所述窄带镭射宽度，采用对应的所述第一镭射功率镭射所述切割道形成对应的所述切口。

可选的，所述根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口，包括：