[发明专利]晶圆切割方法及装置、电子设备、存储介质

权利要求书

1.一种晶圆切割方法，其特征在于，所述晶圆切割方法包括：

提供待切割的晶圆，所述晶圆设置有待分割的多个芯片以及位于所述多个芯片之间的切割道，所述切割道设置有测试互连层；

根据所述晶圆的厚度，确定宽带镭射的宽带镭射深度；以及，根据所述切割道的宽度，分别确定窄带镭射的多个窄带镭射宽度和所述宽带镭射的宽带镭射宽度；

根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口，所述多个切口将所述测试互连层分割为多段子测试互连层；

根据所述宽带镭射宽度和所述宽带镭射深度，采用预设的第二镭射功率沿所述切割道的长度方向镭射所述切割道，完成所述多个芯片的分割。

2.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述第一镭射功率组包括不同的多个第一镭射功率；所述根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口，包括：

分别对每个所述窄带镭射宽度，采用对应的所述第一镭射功率镭射所述切割道形成对应的所述切口。

3.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口，包括：

根据各所述窄带镭射宽度、预设的镭射光斑半径和光斑重叠率，采用所述第一镭射功率组镭射所述切割道形成对应的所述切口。

4.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口，包括：

根据多个所述窄带镭射宽度，分别采用所述第一镭射功率组沿所述切割道的长度方向镭射所述切割道，在所述切割道上形成多个切口组，其中，每个所述切口组均包括多个所述切口，且各所述切口组中的各所述切口分别与各所述窄带镭射宽度一一对应。

5.根据权利要求4所述的晶圆切割方法，其特征在于，沿所述切割道的长度方向，各所述切口组中的各所述切口对应的所述窄带镭射宽度依次减小。

6.根据权利要求1至5任一项所述的晶圆切割方法，其特征在于，在所述根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口之前，所述晶圆切割方法还包括：

确定多个候选第一镭射功率组，所述候选第一镭射功率组包括多个候选第一镭射功率；

根据多个所述窄带镭射宽度，分别确定各所述候选第一镭射功率组对应的热效应；

将所述热效应最小的候选第一镭射功率组作为所述第一镭射功率组。

7.根据权利要求1至5任一项所述的晶圆切割方法，其特征在于，在所述根据所述宽带镭射宽度和所述宽带镭射深度，采用预设的第二镭射功率沿所述切割道的长度方向镭射所述切割道之前，所述晶圆切割方法还包括：

确定多个候选第二镭射功率；

根据所述宽带镭射宽度和所述宽带镭射深度，分别确定各所述候选第二镭射功率对应的热效应；

将所述热效应最小的候选第二镭射功率作为所述第二镭射功率。

8.一种晶圆切割装置，其特征在于，所述晶圆切割装置包括：

提供模块，用于提供待切割的晶圆，所述晶圆设置有待分割的多个芯片以及位于所述多个芯片之间的切割道，所述切割道设置有测试互连层；

确定模块，用于根据所述晶圆的厚度，确定宽带镭射的宽带镭射深度；以及，根据所述切割道的宽度，分别确定窄带镭射的多个窄带镭射宽度和所述宽带镭射的宽带镭射宽度；

第一镭射模块，用于根据多个所述窄带镭射宽度，采用预设的第一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口，所述多个切口将所述测试互联层分割为多段子测试互联层；

第二镭射模块，用于根据所述宽带镭射宽度和所述宽带镭射深度，采用预设的第二镭射功率沿所述切割道的长度方向镭射所述切割道，完成所述多个芯片的分割。