[发明专利]开槽设计方法、装置、电子设备、电路板及存储介质

说明书

本申请提供一种开槽设计方法、装置、电子设备、电路板及存储介质，涉及新能源技术领域。该方法包括：根据仿真模型，仿真得到导针模型所受的拉力数据；在拉力数据小于导针模型对应的导针断裂时的受力阈值时，以当前的仿真模型中的开槽数据作为电路板的目标开槽数据。本申请能够根据电路结构构建对应的仿真模型，从而在仿真模型的基础上对电路结构中导针因电路板变形所受到的拉力进行仿真，以根据仿真的拉力数据和导针的受力阈值确定电路板上开槽时最佳的开槽数据。能够使电路板以最佳的开槽数据进行开槽，有效地减小电路板因温度产生的形变量，从而减小导针因电路板形变而收到的拉力，减小导针断裂导致的失效情况，提高了IGBT模块的可靠性。

技术领域

本申请涉及新能源技术领域，具体而言，涉及一种开槽设计方法、装置、电子设备、电路板及存储介质。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)，是由BJT(Bipolar Junction Transistor，双极型三极管)和MOS(Metal Oxide Semiconductor，绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。在新能源领域，使用Hybrid Pack Drive封装IGBT模块与电路板装配后，在高低温冲击环境中，IGBT的电路板会产生形变，导致与之连接的PIN针(连接器中用来完成电信号的导电传输的一种金属物质)可能出现疲劳断裂情况，存在失效风险。

为了保证IGBT应用的可靠性，现有技术中，通常会在与pin针连接的电路板上进行开槽，以减小电路板的形变量，从而减小pin针所受到的拉力。但是，目前的开槽方式中，无法有效地确定开槽的实际效果，导致pin针仍然存在断裂情况，降低了IGBT的可靠性。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例的目的在于提供一种开槽设计方法、装置、电子设备、电路板及存储介质，以改善现有技术中存在的IGBT中的pin针易断裂的问题。

为了解决上述问题，第一方面，本申请实施例提供了一种开槽设计方法，所述方法包括：

根据仿真模型，仿真得到导针模型所受的拉力数据；

在所述拉力数据小于所述导针模型对应的导针断裂时的受力阈值时，以当前的所述仿真模型中的开槽数据作为电路板的目标开槽数据。

在上述实现过程中，能够根据电路结构构建对应的仿真模型，从而在仿真模型的基础上对电路结构中导针因电路板变形所受到的拉力进行仿真，并将仿真得到的拉力数据与导针断裂时的受力阈值进行对比，以根据仿真的拉力数据和导针的受力阈值的对比结果，确定电路板上开槽时最佳的开槽数据。能够使电路板以最佳的开槽数据进行开槽，有效地减小电路板因温度产生的形变量，从而减小导针因电路板形变而收到的拉力，减小导针断裂导致的失效情况，提高了IGBT模块的可靠性。

可选地，所述根据仿真模型，仿真得到导针模型所受的拉力数据，包括：

确定所述仿真模型中电路板本体对应的电路板模型基于当前温度形成的形变量；

在所述电路板模型中，基于所述形变量、所述导针模型的位置以及所述受力阈值进行开槽仿真，确定所述开槽数据；

基于所述开槽数据，在所述仿真模型中仿真得到所述导针模型所受的所述拉力数据。

在上述实现过程中，仿真的过程可以为先仿真电路板模型在当前温度下发生形变所产生的形变量，再在电路板模型中，根据形变量、导针模型的位置以及导针的受力阈值进行开槽仿真，并确定开槽的位置、方向、大小等开槽数据，以根据开槽数据，确定在此开槽情况下，导针模型在仿真模型中所受到的拉力数据。通过在仿真模型中仿真模拟电路板的变形情况以及对应的开槽情况和导针的受力情况，能够对多种不同的情况进行模拟，还能够对具有多个导针的多种情况进行模拟，有效地提高了仿真的准确性，从而提高了仿真与实际情况的相似性，提高了拉力数据的有效性。