[发明专利]半导体结构和其制造方法在审

申请号：	202211046548.0	申请日：	2022-08-30
公开（公告）号：	CN115528099A	公开（公告）日：	2022-12-27
发明（设计）人：	林玉珠;江文智;任啟中;苏明宏;苏美甄;李家纬;苏冠玮;盘家铭	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L29/423	分类号：	H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336
代理公司：	北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006	代理人：	徐金国
地址：	中国台湾新竹市***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	半导体结构制造方法
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【说明书】：

本公开所述的一些实施方式提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括耦合至半导体结构的基板的第一端点。第一端点包括形成在基板上的穿隧层、形成在穿隧层上的第一导电结构和形成在第一导电结构的顶表面和第一弯曲侧表面上的介电质结构。半导体结构包括耦合至基板的第二端点。第二端点包括形成在隔离结构上的第二导电结构。第二导电结构具有第二弯曲侧表面，以及介电质结构设置在第一弯曲侧表面和第二弯曲侧表面之间。

技术领域

本公开是关于半导体结构，且特别是关于包括具有弯曲侧表面的导电结构的半导体结构。

背景技术

晶体管是电子装置中的半导体结构的常见类型，其可以增强及/或切换电子信号。晶体管可以配置三个端点(terminal)以接收一或多个施加电压。施加至与栅极相关的第一端点的电压可以控制横跨与源极电压相关的第二端点和与相关漏极电压的第三端点的电流。晶体管可以配置成根据施加至端点的不同电压组合执行不同的操作。例如，当不同的电压组合施加至晶体管的端点时时，晶体管可以执行程序化操作(programming operation)、读取操作或抹除操作

发明内容

根据本公开的一些实施例，提供一种半导体结构包括耦合至半导体结构的基板的第一端点，第一端点包括形成在基板上的穿隧层、形成在穿隧层上且具有第一弯曲侧表面的第一导电结构，以及形成在第一导电结构的顶表面和第一弯曲侧表面上的介电质结构。半导体结构包括耦合至基板的第二端点，第二端点包括形成在隔离结构上且具有第二弯曲侧表面的第二导电结构，其中介电质结构设置在第一弯曲侧表面和第二弯曲侧表面之间。

根据本公开的一些实施例，提供一种半导体结构包括耦合至半导体结构的基板的第一端点，第一端点包括形成在基板上的穿隧层、形成在穿隧层上且具有第一弯曲侧表面的第一栅极，以及形成在第一栅极的顶表面和第一弯曲侧表面上的介电质结构。半导体结构包括耦合至基板并且邻近于第一端点的第二端点，第二端点包括形成在隔离结构上且具有第二弯曲侧表面的第二栅极，第二弯曲侧表面形成邻近于在第一弯曲侧表面的介电质结构。半导体结构包括耦合至半导体结构的源极/漏极的第三端点。

根据本公开的一些实施例，提供一种制造半导体结构的方法，包括沉积穿隧层在半导体结构的基板上、形成具有第一弯曲侧表面的第一导电结构在穿隧层上、沉积介电质结构在第一导电结构的顶表面和第一弯曲侧表面上，以及形成第二导电结构在隔离结构上，第二导电结构具有第二弯曲侧表面，其中介电质结构设置在第一弯曲侧表面和第二弯曲侧表面之间。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本公开的各方面。应注意，根据工业中的标准方法，各种特征未按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，可任意增加或减少各种特征的尺寸。

图1是可以实施本文所述的系统及/或方法的示例环境的附图；

图2是本文所述的示例半导体结构的附图；

图3A至图3H是形成本文所述的半导体结构的示例工艺的附图；

图4至图8是本文所述的示例半导体结构的附图；

图9是图1的一或多个装置的示例组件的附图；

图10是关于形成本文所述的半导体结构的示例工艺流程图。

【符号说明】

100:环境

102,104,106,108,110:工具

200:半导体结构