[发明专利]半导体结构和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一第一端点耦合至该半导体结构的一基板，该第一端点包括：

一穿隧层形成在该基板上；

一第一导电结构形成在该穿隧层上，该第一导电结构具有一第一弯曲侧表面；以及

一介电质结构形成在该第一导电结构的一顶表面和该第一弯曲侧表面上；以及

一第二端点耦合至该基板，该第二端点包括：

一第二导电结构形成在一隔离结构上，该第二导电结构具有一第二弯曲侧表面，

其中该介电质结构设置在该第一弯曲侧表面和该第二弯曲侧表面之间。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一弯曲侧表面包括一凹形侧表面，以及其中该第二弯曲侧表面包括一凸形侧表面。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该第一导电结构在该第一导电结构的一顶部具有一第一宽度，其中该第一导电结构在该第一导电结构的一中部具有一第二宽度，以及其中该第一宽度以至少6％大于该第二宽度。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该第一导电结构在该第一导电结构的一底部具有一第一宽度，其中该第一导电结构在该第一导电结构的一中部具有一第二宽度，以及其中该第一宽度以至少3％大于该第二宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一弯曲侧表面包括一凸形侧表面，以及其中该第二弯曲侧表面包括一凹形侧表面。

6.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一第一端点耦合至该半导体结构的一基板，该第一端点包括：

一穿隧层形成在该基板上；

一第一栅极形成在该穿隧层上，该第一栅极具有一第一弯曲侧表面；以及

一介电质结构形成在该第一栅极的一顶表面和该第一弯曲侧表面上；

一第二端点耦合至该基板并且邻近于该第一端点，该第二端点包括：

一第二栅极形成在一隔离结构上，该第二栅极具有一第二弯曲侧表面，该第二弯曲侧表面形成邻近于在该第一弯曲侧表面的该介电质结构；以及

一第三端点耦合至该半导体结构的一源极/漏极。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，该第一弯曲侧表面包括该第一栅极的一第一凹形表面，其中该第一栅极包括相对于该第一凹形表面的一第二凹形表面，以及其中该第二弯曲侧表面包括一凸形表面。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，该第二弯曲侧表面包括该第二栅极的一第一凹形表面，其中该第二栅极包括相对于该第一凹形表面的一第二凹形表面，以及其中该第一弯曲侧表面包括一凸形表面。

9.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，包括：

沉积一穿隧层在一半导体结构的一基板上；

形成一第一导电结构在该穿隧层上，该第一导电结构具有一第一弯曲侧表面；

沉积一介电质结构在该第一导电结构的一顶表面和该第一弯曲侧表面上；以及

形成一第二导电结构在一隔离结构上，该第二导电结构具有一第二弯曲侧表面，其中该介电质结构设置在该第一弯曲侧表面和该第二弯曲侧表面之间。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包括：

形成一第三导电结构在该基板上，其中沉积该第三导电结构包括在沉积该第一导电结构的相同沉积工艺中沉积该第三导电结构。