[发明专利]一种射频模组芯片的制作方法及封装结构在审
申请号: | 202211042456.5 | 申请日: | 2022-08-29 |
公开(公告)号: | CN115332092A | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 王亮;宋驭超;王鑫;徐可欣 | 申请(专利权)人: | 江苏卓胜微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/552;H01L25/16 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 赵翠香 |
地址: | 214072 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射频 模组 芯片 制作方法 封装 结构 | ||
本发明实施例公开了一种射频模组芯片的制作方法及封装结构。射频模组芯片的制作方法包括:提供一基板,基板划分为模组芯片区和位于模组芯片区之间的切割区;在基板的模组芯片区上设置多种元器件;在基板设置有元器件的一侧形成覆盖元器件的塑封层;采用半切割工艺对完成塑封后的基板的切割区进行切割,去除切割区保留部分厚度的基板上的膜层;在基板设置有元器件的一侧形成屏蔽层,屏蔽层覆盖塑封层以及切割区所保留的基板;对切割区进行切割,得到单颗射频模组芯片。本发明的技术方案可以实现电磁屏蔽功能,又可以解决射频模组芯片底部边缘金属毛边的问题,还可以提升产能和产品良率。
技术领域
本发明实施例涉及半导体技术领域,尤其涉及一种射频模组芯片的制作方法及封装结构。
背景技术
目前市场上对于芯片发展提出的集成度要求越来越高,需要将不同功能的元器件集成在一个射频模组里面,不同元器件之间本身存在电磁干扰,会干扰信号,影响射频模组的正常工作,需要建立屏蔽层来隔离干扰,保证正常工作。
由于不同元器件间存在电磁干扰,相关技术是在射频模组芯片封装好切成单颗后,在其表面溅镀一层金属,实现射频模组与其他相邻元器件间的电磁屏蔽功能。但是,相关技术是将射频模组芯片切割成单颗后,在射频模组表面整体溅镀一层金属,需要将每颗射频模组芯片单独摆放并拾取,存在产能低的缺点。另外射频模组芯片底部边缘存在金属,容易出现边缘金属毛边的问题,影响射频模组芯片后期的焊接使用。
发明内容
本发明提供一种射频模组芯片的制作方法及封装结构,可以实现电磁屏蔽功能,又可以解决射频模组芯片底部边缘金属毛边的问题,还可以提升产能和产品良率。
根据本发明的一方面,提供了一种射频模组芯片的制作方法,该方法包括:
提供一基板,所述基板划分为模组芯片区和位于所述模组芯片区之间的切割区;
在所述基板的所述模组芯片区上设置多种元器件;
在所述基板设置有所述元器件的一侧形成覆盖所述元器件的塑封层;
采用半切割工艺对完成塑封后的所述基板的切割区进行切割,去除所述切割区保留部分厚度的所述基板上的膜层;
在所述基板设置有所述元器件的一侧形成屏蔽层,所述屏蔽层覆盖所述塑封层以及所述切割区所保留的所述基板;
对所述切割区进行切割,得到单颗射频模组芯片。
可选地,采用半切割工艺对完成塑封后的所述基板的切割区进行切割,去除所述切割区保留部分厚度的所述基板上的膜层包括:对完成塑封后的所述基板进行半切割,所述半切割的厚度包括所述基板厚度的一半。
可选地,在所述基板的所述模组芯片区上设置多种元器件之前还包括:在所述基板的所述模组芯片区上形成阻焊层,所述阻焊层间断分布,在所述阻焊层间断处形成导电凸块。
可选地,所述形成屏蔽层的步骤包括:采用溅射工艺在所述基板设置有所述元器件的一侧形成屏蔽层;
或者,采用喷涂导电胶工艺在所述基板设置有所述元器件的一侧形成屏蔽层;
或者,采用电镀金属工艺在所述基板设置有所述元器件的一侧形成屏蔽层;
或者,采用覆盖导电膜工艺在所述基板设置有所述元器件的一侧形成屏蔽层。
可选地,所述屏蔽层的材质包括铜或不锈钢。
可选地,所述塑封层的材质包括环氧树脂膜塑料。
根据本发明的另一方面,提供了一种射频模组芯片的封装结构,通过上述任一所述的射频模组芯片的制作方法形成,该封装结构包括:
基板;
多种元器件,所述多种元器件位于所述基板的表面;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造