[发明专利]一种射频模组芯片的制作方法及封装结构在审
| 申请号: | 202211042456.5 | 申请日: | 2022-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN115332092A | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
| 发明(设计)人: | 王亮;宋驭超;王鑫;徐可欣 | 申请(专利权)人: | 江苏卓胜微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/552;H01L25/16 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 赵翠香 |
| 地址: | 214072 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 射频 模组 芯片 制作方法 封装 结构 | ||
1.一种射频模组芯片的制作方法,其特征在于,包括:
提供一基板,所述基板划分为模组芯片区和位于所述模组芯片区之间的切割区;
在所述基板的所述模组芯片区上设置多种元器件;
在所述基板设置有所述元器件的一侧形成覆盖所述元器件的塑封层;
采用半切割工艺对完成塑封后的所述基板的切割区进行切割,去除所述切割区保留部分厚度的所述基板上的膜层;
在所述基板设置有所述元器件的一侧形成屏蔽层,所述屏蔽层覆盖所述塑封层以及所述切割区所保留的所述基板;
对所述切割区进行切割,得到单颗射频模组芯片。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,采用半切割工艺对完成塑封后的所述基板的切割区进行切割,去除所述切割区保留部分厚度的所述基板上的膜层包括:对完成塑封后的所述基板进行半切割,所述半切割的厚度包括所述基板厚度的一半。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述基板的所述模组芯片区上设置多种元器件之前还包括:在所述基板的所述模组芯片区上形成阻焊层,所述阻焊层间断分布,在所述阻焊层间断处形成导电凸块。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述形成屏蔽层的步骤包括:采用溅射工艺在所述基板设置有所述元器件的一侧形成屏蔽层;
或者,采用喷涂导电胶工艺在所述基板设置有所述元器件的一侧形成屏蔽层;
或者,采用电镀金属工艺在所述基板设置有所述元器件的一侧形成屏蔽层;
或者,采用覆盖导电膜工艺在所述基板设置有所述元器件的一侧形成屏蔽层。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述屏蔽层的材质包括铜或不锈钢。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述塑封层的材质包括环氧树脂膜塑料。
7.一种射频模组芯片的封装结构,其特征在于,通过权利要求1-6任一所述的射频模组芯片的制作方法形成,包括:
基板;
多种元器件,所述多种元器件位于所述基板的表面;
塑封层,所述塑封层位于所述多种元器件的表面,且围绕所述多种元器件设置;
屏蔽层,所述屏蔽层位于所述基板设置有所述元器件的一侧,所述屏蔽层覆盖所述塑封层以及部分所述基板。
8.根据权利要求7所述的结构,其特征在于,所述元器件包括芯片,所述芯片包括滤波器芯片以及大功率芯片中的至少一种,相邻所述芯片之间间隔设置所述塑封层。
9.根据权利要求8所述的结构,其特征在于,所述基板的内部包括导电层,所述基板邻近所述元器件的一侧设置有导电凸块;
所述导电层与所述导电凸块连接,所述芯片位于所述导电凸块远离所述基板的表面,所述芯片的信号输出端与所述导电凸块连接。
10.根据权利要求9所述的结构,其特征在于,还包括阻焊层,所述阻焊层设置开口结构,所述开口结构漏出所述导电凸块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





