[发明专利]驱动背板及显示面板

说明书

本申请提供一种驱动背板及显示面板，其中，驱动背板通过设置沟道宽度不同且迁移率不同的多个氧化物半导体薄膜晶体管，以缩小薄膜晶体管所占空间，实现显示面板边框的缩减，从而满足窄边框显示面板的市场需要；同时，还提供具备不同电流驱动能力的多个氧化物半导体薄膜晶体管，保证相应电路具备实际所需的功能，提升显示面板的显示品质。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种驱动背板及显示面板。

背景技术

在大尺寸显示中，尤其是对于以有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)显示面板为代表性的电流型驱动显示面板而言，实现量产化需要对电流驱动能力以及大面积制程均匀性进行双重考量。目前，氧化物半导体材料制成的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)相较于非晶硅材料或者多晶硅材料制成的TFT，因氧化物半导体材料具有更高的迁移率，氧化物半导体TFT能够以更高的速度动作而具有更高的电流驱动能力，故氧化物半导体TFT成为当今量产大尺寸AMOLED显示面板的重要器件。

一方面，不同电路对TFT的要求并非相同，同一电路对各个TFT的要求也并非相同。一些TFT仅作为开关功能器件，从而对其电流驱动能力要求不高；而一些TFT需要根据自身电流驱动能力决定功能性的发挥，从而对其电流驱动能力具有一定要求。另一方面，窄边框显示面板的市场需求更为强烈。

因此，有必要提供一种显示面板，满足窄边框之需的同时，还具有不同电流驱动能力的多个氧化物半导体TFT。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请提供一种驱动背板及显示面板，其具有尺寸不同且迁移率不同的多个氧化物半导体TFT，在缩小边框的同时，提供具备不同电流驱动能力的多个氧化物半导体TFT，保证相应电路具备实际所需的功能。

第一方面，本申请提供一种驱动背板，其包括：

基板；

薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层设于所述基板之上，所述薄膜晶体管层包括至少一第一晶体管以及至少一第二晶体管；其中，

所述第一晶体管包括第一氧化物半导体沟道，所述第二晶体管包括第二氧化物半导体沟道，所述第一氧化物半导体沟道的宽度小于所述第二氧化物半导体沟道的宽度，且所述第一氧化物半导体沟道的迁移率小于所述第二氧化物半导体沟道的迁移率。

在本申请提供的驱动背板中，所述第一氧化物半导体沟道的宽度小于预设值，所述第二氧化物半导体沟道的宽度大于或者等于所述预设值，所述预设值介于15微米至25微米之间。

在本申请提供的驱动背板中，所述预设值为20微米。

在本申请提供的驱动背板中，所述薄膜晶体管层包括依次层叠设置的第一氧化物半导体层、第一绝缘层、第二氧化物半导体层以及第二绝缘层；其中，

所述第一氧化物半导体层包括所述第一氧化物半导体沟道，所述第二氧化物半导体层包括所述第二氧化物半导体沟道；

所述第一绝缘层包括第一绝缘部，所述第二绝缘层包括第二绝缘部，所述第一绝缘部设置在所述第一氧化物半导体沟道远离所述基板的一侧，所述第二绝缘部设置在所述第二氧化物半导体沟道远离所述基板的一侧。

在本申请提供的驱动背板中，所述第二绝缘层还包括第三绝缘部，所述第三绝缘部设置在所述第一绝缘部远离所述基板的一侧。

在本申请提供的驱动背板中，所述第一绝缘层还包括第四绝缘部，所述第四绝缘部设置在所述第二氧化物半导体沟道靠近所述基板的一侧。

在本申请提供的驱动背板中，所述第一绝缘层的氢含量大于所述第二绝缘层的氢含量。

在本申请提供的驱动背板中，所述第二氧化物半导体层包括第一子半导体层以及第二子半导体层；