[发明专利]驱动背板及显示面板在审
| 申请号: | 202211026320.5 | 申请日: | 2022-08-25 |
| 公开(公告)号: | CN115394791A | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
| 发明(设计)人: | 陈远鹏;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 驱动 背板 显示 面板 | ||
1.一种驱动背板,其特征在于,包括:
基板;
薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层设于所述基板之上,所述薄膜晶体管层包括至少一第一晶体管以及至少一第二晶体管;其中,
所述第一晶体管包括第一氧化物半导体沟道,所述第二晶体管包括第二氧化物半导体沟道,所述第一氧化物半导体沟道的宽度小于所述第二氧化物半导体沟道的宽度,且所述第一氧化物半导体沟道的迁移率小于所述第二氧化物半导体沟道的迁移率。
2.根据权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述第一氧化物半导体沟道的宽度小于预设值,所述第二氧化物半导体沟道的宽度大于或者等于所述预设值,所述预设值介于15微米至25微米之间。
3.根据权利要求2所述的驱动背板,其特征在于,所述预设值为20微米。
4.根据权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述薄膜晶体管层包括依次层叠设置的第一氧化物半导体层、第一绝缘层、第二氧化物半导体层以及第二绝缘层;其中,
所述第一氧化物半导体层包括所述第一氧化物半导体沟道,所述第二氧化物半导体层包括所述第二氧化物半导体沟道;
所述第一绝缘层包括第一绝缘部,所述第二绝缘层包括第二绝缘部,所述第一绝缘部设置在所述第一氧化物半导体沟道远离所述基板的一侧,所述第二绝缘部设置在所述第二氧化物半导体沟道远离所述基板的一侧。
5.根据权利要求4所述的驱动背板,其特征在于,所述第二绝缘层还包括第三绝缘部,所述第三绝缘部设置在所述第一绝缘部远离所述基板的一侧。
6.根据权利要求4或者5所述的驱动背板,其特征在于,所述第一绝缘层还包括第四绝缘部,所述第四绝缘部设置在所述第二氧化物半导体沟道靠近所述基板的一侧。
7.根据权利要求4所述的驱动背板,其特征在于,所述第一绝缘层的氢含量大于所述第二绝缘层的氢含量。
8.根据权利要求4所述的驱动背板,其特征在于,所述第二氧化物半导体层包括第一子半导体层以及第二子半导体层;
所述第一子半导体层设置在所述第二绝缘部靠近所述基板的一侧,所述第二子半导体层设置在所述第一子半导体层靠近所述基板的一侧,所述第一子半导体层和所述第二子半导体层二者中的至少一者的迁移率大于所述第一氧化物半导体层的迁移率。
9.根据权利要求8所述的驱动背板,其特征在于,所述第一子半导体层覆盖所述第二子半导体层。
10.根据权利要求8所述的驱动背板,其特征在于,所述第二子半导体层包括第一部分以及围绕第一部分设置的第二部分;其中,
所述第一部分在所述基板上的正投影与所述第一子半导体层在所述基板上的正投影重合,所述第二部分设有源漏极接触区或所述第一子半导体层设有所述源漏极接触区。
11.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-10任一项所述的驱动背板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





