[发明专利]自时钟低功率倍增电荷泵

权利要求书

1.一种电荷泵电路(10)，包括：

电荷泵(200)，所述电荷泵具有低电压端子、高电压端子和时钟输入；

分压器电路(100)，所述分压器电路具有耦接所述低电压端子的第一输入、耦接到所述高电压端子的第二输入以及提供分压的输出；

比较器(140)，所述比较器具有接收所述分压的第一输入、耦接到所述低电压端子的第二输入、复位输入和比较器输出；以及

脉冲发生器(150)，所述脉冲发生器具有耦接到所述比较器输出的输入和耦接到所述复位输入和所述时钟输入的输出。

2.根据权利要求1所述的电荷泵电路，其中所述分压器电路进一步包括：

参考电流发生器(110)，所述参考电流发生器具有输入和参考电流发生器输出，所述输入耦接到所述低电压端子；

电流镜(130)，所述电流镜具有电流镜输入和电流镜输出，所述电流镜输入耦接到所述参考电流发生器输出；以及

分压器(120)，所述分压器具有耦接到所述高电压端子的第一端子、耦接到所述电流镜输出的第二端子以及提供所述分压的输出。

3.根据权利要求2所述的电荷泵电路，其中所述分压器进一步包括：

第一n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管(121)，所述第一NMOS晶体管具有源极、漏极和栅极，所述源极连接到所述电流镜的所述输出；

第二NMOS晶体管(122)，所述第二NMOS晶体管具有源极、漏极和栅极，所述源极连接到所述第一NMOS晶体管的所述漏极，所述栅极连接到所述第二NMOS晶体管的漏极和所述第一NMOS晶体管的所述栅极；

第一PMOS晶体管(123)，所述第一PMOS晶体管具有漏极、源极和栅极，所述漏极连接到所述第一NMOS晶体管的所述源极，所述栅极连接到所述第一PMOS晶体管的漏极；以及

第二PMOS晶体管(124)，所述第二PMOS晶体管具有源极、漏极和栅极，所述源极连接到所述高电压端子，所述漏极连接到所述第一PMOS晶体管(123)的所述源极，所述栅极连接到所述第一PMOS晶体管(123)的所述栅极。

4.根据权利要求3所述的电荷泵电路，其中：

所述第二PMOS晶体管(124)在第一控制输入的控制下具有能够调节的电压阈值(Vth)；并且

所述第一NMOS晶体管在第二控制输入的控制下具有能够调节的Vth。

5.根据权利要求2所述的电荷泵电路，其中所述参考电流发生器(110)包括：

第三NMOS晶体管(111)，所述第三NMOS晶体管具有漏极、源极和栅极，所述源极耦接到所述电流镜输入(131)，所述栅极连接到所述第三NMOS晶体管的漏极；

第三PMOS晶体管(112)，所述第三PMOS晶体管具有漏极、源极和栅极，所述漏极连接到所述第一NMOS晶体管的所述源极，所述源极连接到所述第三NMOS晶体管的所述漏极，所述栅极连接到第三PMOS晶体管的漏极；以及

第四PMOS晶体管(113)，所述第四PMOS晶体管具有源极、漏极和栅极，所述源极连接到所述低电压端子，所述漏极连接到所述第三PMOS晶体管(112)的所述源极，所述栅极连接到所述第一PMOS晶体管(112)的所述栅极。

6.根据权利要求5所述的电荷泵电路，其中所述电流镜进一步包括：

第四NMOS晶体管(131)，所述第四NMOS晶体管具有源极、漏极和栅极，所述源极耦接到接地，所述漏极连接到所述电流镜输入，所述栅极连接到所述第三NMOS晶体管(111)的所述栅极；以及

第五NMOS晶体管(132)，所述第五NMOS晶体管具有源极、漏极和栅极，所述源极耦接到接地，所述漏极连接到所述电流镜输出，所述栅极连接到所述第四NMOS晶体管的所述栅极。