[发明专利]半导体芯片封装结构

权利要求书

1.一种芯片封装结构，包括：

一重布线结构，包括一介电结构和在该介电结构中的一第一接地线，其中该第一接地线包括一第一主要部分和连接至该第一主要部分且从该介电结构横向露出的一第一末端扩大部分；

一芯片结构，位于该重布线结构上方；

一模塑化合物层，位于该重布线结构上方并围绕该芯片结构；

一缓冲层，位于该芯片结构和该模塑化合物层上；

一底部填充层，位于该缓冲层上；

一芯片封装体，位于该底部填充层上方；以及一导电屏蔽膜，覆盖该芯片封装体的顶表面及侧壁，并直接接触该底部填充层、该缓冲层、该模塑化合物层及该第一接地线的该第一末端扩大部分，其中该导电屏蔽膜电性连接至该第一接地线，且其中该第一末端扩大部分的厚度从该第一主要部分增加至该导电屏蔽膜。

2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其中该重布线结构的宽度大于该芯片封装体的宽度。

3.如权利要求1所述的芯片封装结构，更包括:

一导电结构，通过该模塑化合物层、该缓冲层、该底部填充层，並將该芯片结构电性连接至该芯片封装体。

4.如权利要求3所述的芯片封装结构，其中该导电结构包括:

一导通孔结构，位于该模塑化合物层中；

一导电层，位于该模塑化合物层中且在该导通孔结构上；以及

一导电凸块，通过该缓冲层延伸至该底部填充层。

5.如权利要求4所述的芯片封装结构，其中该导电屏蔽膜透过该底部填充层与该导电凸块横向隔开。

6.如权利要求1所述的芯片封装结构，其中该第一末端扩大部分的侧壁与该芯片封装体的侧壁不共平面。

7.如权利要求1所述的芯片封装结构，其中该第一该末端扩大部分的侧壁与该缓冲层的侧壁共平面。

8.如权利要求1所述的芯片封装结构，其中该底部填充层的下部的宽度大于该底部填充层的上部的宽度。

9.如权利要求1所述的芯片封装结构，其中该导电屏蔽膜覆盖该芯片封装体的顶表面的一第一厚度大于该导电屏蔽膜覆盖该第一末端扩大部分的侧壁的一第二厚度。

10.如权利要求9所述的芯片封装结构，其中该导电屏蔽膜覆盖该第一末端扩大部分的侧壁的该第二厚度大于该导电屏蔽膜覆盖该重布线结构的底表面的一第三厚度。

11.一种芯片封装结构的形成方法，包括：

沉积一第一芯片结构和一第二芯片结构于一承载基板上方；

形成一模塑化合物层围绕该第一芯片结构和该第二芯片结构；

形成一介电结构于该模塑化合物层的一第一側上方，且形成一第一接地线于该介电结构中；

移除该承载基板；

形成一缓冲层於该模塑化合物层相對於该第一側的一第二側上；

形成一第一芯片封装体和一第二芯片封装体於该缓冲层上方；

形成一底部填充层於该第一芯片封装体與该缓冲层之間及该第二芯片封装体與该缓冲层之間；

切割该第一接地线以形成该第一接地线的一第一主要部分和连接至该第一主要部分且从该介电结构横向露出的一第一末端扩大部分，其中该第一末端扩大部分具有一逐渐增加的厚度；以及

形成一第一导电屏蔽膜于该第一芯片封装体和该第二芯片封装体上方，其中该导电屏蔽膜直接接触该底部填充层、该缓冲层、该模塑化合物层及该第一接地线的该第一末端扩大部分。

12.如权利要求11所述的芯片封装结构的形成方法，其中在切割该第一接地线之后，该第一主要部分具有一均匀的厚度。