[发明专利]用于箝位器栅极控制的快速响应电平移位器

权利要求书

1.一种被配置成产生电压输出的电平移位器电路，其特征在于，包括：

第一充电路径电路；

第二充电路径电路；以及

启用电路，所述启用电路被配置成启用所述第一充电路径电路和所述第二充电路径电路，

其中

所述电压输出是来自所述第一充电路径电路和所述第二充电路径电路的电压的组合，

所述第一充电路径电路充电到电压极限，并且

所述第一充电路径电路比所述第二充电路径电路更快地对所述电压输出充电。

2.根据权利要求1所述的电平移位器电路，其特征在于，所述第一充电路径电路另外包括与第二PMOS晶体管串联的第一PMOS晶体管，其中所述第一PMOS晶体管的栅极连接到所述启用电路，并且所述第二PMOS晶体管的栅极连接到所述电压输出。

3.根据权利要求2所述的电平移位器电路，其特征在于，所述第一充电路径电路另外包括连接在第一电压源与所述第一PMOS晶体管之间的第三PMOS晶体管，其中所述第三PMOS晶体管具有连接到第一控制电路的栅极。

4.根据权利要求3所述的电平移位器电路，其特征在于，另外包括连接在所述电压输出与地之间的NMOS晶体管，所述NMOS晶体管具有连接到所述启用电路的栅极。

5.根据权利要求1所述的电平移位器电路，其特征在于，所述第二充电路径电路另外包括连接在第二电压源与第一电阻器之间的第四PMOS晶体管，其中所述第四PMOS晶体管的栅极连接到所述启用电路。

6.根据权利要求5所述的电平移位器电路，其特征在于，另外包括连接在所述电压输出与地之间的PMOS晶体管，所述PMOS晶体管具有通过第二电阻器连接到第一电源的栅极。

7.根据权利要求1所述的电平移位器电路，其特征在于，所述启用电路包括反相器，所述反相器被配置成接收启用信号并输出反相启用信号。

8.一种具有第一差分输入和第二差分输入的高速数据路径电路，其特征在于，包括：

均衡器，所述均衡器具有第一均衡器输入和第二均衡器输入；

增益电路；

传输线驱动器；

偏移消除控制器，所述偏移消除控制器被配置成补偿所述均衡器中的偏移；

第一晶体管箝位器，所述第一晶体管箝位器连接在所述第一差分输入与由栅极电压V_G控制的所述第一均衡器输入之间；

第二晶体管箝位器，所述第二晶体管箝位器连接在所述第二差分输入与由栅极电压V_G控制的所述第二均衡器输入之间；

第一开关，所述第一开关被配置成将所述第一均衡器输入连接到共模电压V_CM；

第二开关，所述第二开关被配置成将所述第二均衡器输入连接到V_CM；

被配置成在电压输出下产生V_G的电平移位器电路，所述电平移位器电路包括

第一充电路径电路；

第二充电路径电路；以及

启用电路，所述启用电路被配置成启用所述第一充电路径电路和所述第二充电路径电路，

其中

所述电压是来自所述第一充电路径电路和所述第二充电路径电路的电压的组合，

所述第一充电路径电路充电到电压极限，并且

所述第一充电路径电路比所述第二充电路径电路更快地对所述电压输出充电。

9.根据权利要求8所述的高速数据路径电路，其特征在于，所述第一充电路径电路另外包括与第二PMOS晶体管串联的第一PMOS晶体管，其中所述第一PMOS晶体管的栅极连接到所述启用电路，并且所述第二PMOS晶体管的栅极连接到所述电压输出。

10.根据权利要求9所述的高速数据路径电路，其特征在于，所述第一充电路径电路另外包括连接在第一电压源与所述第一PMOS晶体管之间的第三PMOS晶体管，其中所述第三PMOS晶体管具有连接到第一控制电路的栅极。