[发明专利]行间转移电荷耦合器件像元结构

权利要求书

1.一种行间转移电荷耦合器件像元结构，其特征在于，包括衬底，所述衬底上设置有光敏区和垂直区，所述光敏区的四周环绕设置有一圈第一沟阻；所述垂直区位于光敏区的一侧，所述垂直区的远离光敏区的一侧设置有第二沟阻；在所述光敏区和垂直区之间设置有读出势垒，在所述垂直区和读出势垒的上端覆盖有栅氧，所述栅氧的上端覆盖有垂直驱动相；光敏区上覆盖有p⁺层，所述p⁺层的外沿交叠在第一沟阻上；所述p⁺层在邻近读出势垒的位置处设置有p⁺层留白区域。

2.根据权利要求1所述的行间转移电荷耦合器件像元结构，其特征在于，所述衬底为P型衬底。

3.根据权利要求1所述的行间转移电荷耦合器件像元结构，其特征在于，所述衬底为N型衬底，所述N型衬底制作有p阱，所述p阱位于光敏区和垂直区的下方。

4.根据权利要求1所述的行间转移电荷耦合器件像元结构，其特征在于，所述p⁺层与第一沟阻的交叠宽度为0.2μm。

5.根据权利要求1～4任一项所述的行间转移电荷耦合器件像元结构，其特征在于，所述p⁺层为采用低能量、高剂量硼注入工艺形成的浅结高掺杂浓度分布。

6.根据权利要求5所述的行间转移电荷耦合器件像元结构，其特征在于，在通过硼离子注入形成p⁺层时，注入能量为10keV～20keV，注入剂量为1e13cm^-2～1e14cm^-2。

7.根据权利要求5所述的行间转移电荷耦合器件像元结构，其特征在于，形成p⁺层的硼注入工艺在垂直驱动相的多晶硅的工艺之后进行。

8.根据权利要求5所述的行间转移电荷耦合器件像元结构，其特征在于，所述p⁺层留白区域为在形成p⁺层的过程中，未进行硼离子注入的区域。

9.根据权利要求8所述的行间转移电荷耦合器件像元结构，其特征在于，所述p⁺层留白区域在宽度方向上的尺寸为0.2μm～0.5μm，所述p⁺层留白区域在长度方向上的尺寸与读出势垒在长度方向上的尺寸相匹配。

10.根据权利要求1所述的行间转移电荷耦合器件像元结构，其特征在于，所述垂直驱动相包括垂直区V1驱动相和垂直区V2驱动相，所述读出势垒设置在光敏区和垂直区V2驱动相之间。