[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

具有主面的作为漏区的第一导电型的半导体层；

沟槽栅极构造，其包括形成于上述主面的沟槽、覆盖上述沟槽的壁面的绝缘膜、以及隔着上述绝缘膜埋设于上述沟槽的栅电极；

第一导电型的源区，其在上述主面的表层部形成在上述沟槽栅极构造的侧方；

第二导电型的阱区，其在上述沟槽栅极构造的周边相对于上述源区形成在上述沟槽栅极构造的底壁侧的区域；以及

沟道，其在上述沟槽栅极构造的附近形成在与上述沟槽栅极构造的深度方向垂直的横向上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

第一电流路径，其从上述半导体层形成在沿着上述沟槽栅极构造的深度方向的纵向上；以及

第二电流路径，其从上述第一电流路径经由上述沟道形成在与上述沟槽栅极构造的深度方向垂直的上述横向上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

多个上述沟槽栅极构造隔开间隔形成于上述主面，

上述阱区在上述主面的表层部包括介于多个上述沟槽栅极构造之间的区域的部分，

上述沟道在多个上述沟槽栅极构造之间的区域形成在与多个上述沟槽栅极构造的深度方向垂直的上述横向上。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

多个上述沟槽栅极构造在俯视下沿着相同的方向以带状延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述沟槽在剖视下形成为开口宽度在深度方向上逐渐变窄的锥形。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

上述沟槽具有相对于上述主面平行的底壁。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述源区从上述主面露出。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

能够以上述源区为基准在上述半导体层施加200V以上且1000V以下的短路电压，

在上述短路电压的施加状态下，经由上述沟道从上述半导体层向上述源区流动短路电流。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述半导体层包含SiC。

10.根据权利要求1至9中任一项所述所述的半导体装置，其特征在于，

在上述主面的表层部还包括形成在上述沟槽栅极构造的侧方的第二导电型的接触区域。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

上述接触区域以隔着上述绝缘膜与上述栅电极对置的方式形成在上述沟槽栅极构造的侧方。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

上述接触区域从上述主面露出。

13.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

上述接触区域由上述阱区的一部分构成。

14.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

还包含源电极，该源电极以与上述源区电连接的方式形成在上述主面上。

15.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

还包括漏电极，该漏电极与上述半导体层的上述主面的相反面连接。